[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了形成半导体器件的方法和半导体器件。方法包括在半导体衬底上方沉积掩模层，蚀刻掩模层以形成图案化掩模，其中，图案化掩模的侧壁包括第一侧壁区域、第二侧壁区域和第三侧壁区域，其中，第一侧壁区域比第二侧壁区域更远离半导体衬底，并且第二侧壁区域比第三侧壁区域更远离半导体衬底，其中，第二侧壁区域从第一侧壁区域和第三侧壁区域横向突出，使用图案化掩模蚀刻半导体衬底以形成鳍，在鳍上方形成栅极堆叠件，以及在邻近栅极堆叠件的鳍中形成源极和漏极区域。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于诸如例如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来持续改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件集成到给定区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其它问题。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方沉积掩模层；蚀刻所述掩模层以形成图案化掩模，其中，所述图案化掩模的侧壁包括第一侧壁区域、第二侧壁区域和第三侧壁区域，其中，所述第一侧壁区域比所述第二侧壁区域更远离所述半导体衬底，并且所述第二侧壁区域比所述第三侧壁区域更远离所述半导体衬底，其中，所述第二侧壁区域从所述第一侧壁区域和所述第三侧壁区域横向突出；使用所述图案化掩模蚀刻所述半导体衬底以形成鳍；在所述鳍上方形成栅极堆叠件；以及在邻近所述栅极堆叠件的所述鳍中形成源极和漏极区域。

根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：图案化衬底以形成具有第一粗糙度的半导体带；对所述半导体带实施蚀刻工艺，其中，在所述蚀刻工艺之后，所述半导体带具有大于所述第一粗糙度的第二粗糙度；在所述半导体带的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件；在所述伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件；以及邻近所述沟道区域外延生长源极/漏极区域。

根据本发明的实施例，提供了一种半导体器件，包括：鳍，从衬底的上表面延伸，所述鳍的侧壁具有第一粗糙度；膜，沿着所述鳍的侧壁延伸，所述膜具有大于所述第一粗糙度的第二粗糙度；栅极堆叠件，设置在所述膜和所述鳍上方；以及外延区域，邻近所述鳍设置。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的三维视图的FinFET的实例。

图2至图20B是根据一些实施例的FinFET制造中的中间阶段的截面图。

图21至图28B是根据一些实施例的FinFET制造中的中间阶段的截面图。

图29至图36B是根据一些实施例的FinFET制造中的中间阶段的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。