[发明专利]以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺

权利要求书

1.一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；

(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；

(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P3HT材料层；

(4)以体积比为3-5:5-7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P3HT材料层掺杂形成双极型半导体材料层；

(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。

2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中，将硅片置于体积比为4:6的羰基硫和氮气的混合气氛中退火1h，制得所述双极型半导体材料层。

3.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底采用硅片、玻璃片、PI片或PMMA片，所述绝缘层为二氧化硅材料层、三氧化二铝材料层或五氧化二钽材料层。

4.如权利要求3所述的制备工艺，其特征在于，所述衬底为具有二氧化硅薄膜的硅片，所述硅片为100晶面P型重掺杂，其厚度为300mm。

5.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述修饰层为十八烷基三氯硅烷材料层或辛基三氯硅烷材料层。

6.如权利要求5所述的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，将衬底浸泡在1mol/L的十八烷基三氯硅烷的甲苯溶液中24小时，制得所述十八烷基三氯硅烷材料层。

7.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，所述P3HT材料层的分子结构选自如下12种分子结构中任意一者：

8.如权利要求7所述的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，首先制备P3HT的氯苯溶液，其浓度为10mol/L，然后将P3HT的氯苯溶液旋涂在衬底的绝缘表面上，旋涂转速为5000r/min，旋涂厚度为100nm，制得所述P3HT材料层。

9.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述源电极和所述漏电极为金电极、银电极、铜电极或铝电极。

10.如权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，真空蒸镀50nm厚的金电极作为源电极和漏电极，所述金电极的厚度为50nm。