[发明专利]能量计量装置和方法

权利要求书

1.一种能量计量装置，包括：

与被测电源连接，采集被测电路的电流值和电压值的采集装置；和，

与所述采集装置信号连接的主芯片，所述主芯片将所述采集装置采集的数据转化为数字信号编码，并根据所述数字信号编码的过零点数量确定根据所述数字信号编码进行能量计量的计量方式，并进行能源计量，其中，所述计量方式包括交流电计量和直流电计量。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

与所述被测电源和所述主芯片连接的第一供电单元，将所述被测电源的电压转化为所述主芯片的工作电压，并提供给所述主芯片。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括：

与所述主芯片信号连接，接收来自主芯片的能源计量信息并显示的显示单元。

4.根据权利要求1所述的装置，还包括:

位于所述被测电源的供电电路，控制所述供电电路通断的开关单元；

所述开关单元的开关控制端与所述主芯片连接；

所述主芯片还向所述开关单元发送第一电平或第二电平的电信号，以控制所述开关单元的通断。

5.根据权利要求4所述的装置，还包括：

与所述主芯片信号连接的信号提供单元，向所述主芯片发送所述第一电平或所述第二电平的电信号；

所述主芯片将来自所述信号提供电源的电信号发送给所述开关单元的开关控制端。

6.根据权利要求4所述的装置，还包括：

与所述被测电源和所述开关单元连接的第二供电单元，将所述被测电源的电压转化为所述开关单元的工作电压，并提供给所述开关单元。

7.根据权利要求4所述的装置，其中，所述开关单元包括：

第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，第一NMOS晶体管的栅极与开关控制端连通，第一NMOS晶体管的漏极与P型金属氧化物半导体PMOS晶体管的栅极连接，第一NMOS晶体管的源极连接第一地；

PMOS晶体管，PMOS晶体管的漏极与第一供电电压连接，PMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的栅极分别连接；

第二NMOS晶体管，第二NMOS晶体管的漏极与第一输入端连接，第二NMOS晶体管的源极连接第一地；

第三NMOS晶体管，第三NMOS晶体管的漏极与第一输出端连接，第三NMOS晶体管的源极连接第一地，其中，第一输入端与第一输出端之间用于连接负载支路。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述开关单元还包括：

隔离信号芯片，信号输入端与开关控制端连接，信号输出端与第一NMOS晶体管的栅极连接，其输入侧接地端与第二地连接，其输出侧接地端与第一地连接。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，

所述隔离信号芯片的电压输入端和电压输出端都与第二供电电压连接，所述第二供电电压与所述隔离信号芯片的输入侧接地端和输出侧接地端之间分别接入滤波电容；或，

所述隔离信号芯片的信号输入端与电压输入端之间以及信号输出端与电压输出端之间都接入上拉电阻。

10.根据权利要求8所述的装置，其中，还包括以下至少一项：

所述第一NMOS晶体管的漏极与所述PMOS晶体管的漏极之间接入上拉电阻；

所述PMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的栅极连接后经过下拉电阻接入第一地；

所述第一供电电压与所述第一地之间接入滤波电容；或

所述负载支路包括串联的电源和负载，所述电源连接所述第一输入端，所述负载连接所述第一输出端。