[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2016年3月8日的标题为“半导体装置”的第201610130372.5号申请的分案申请。

技术领域

示例实施例涉及一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。

背景技术

由于半导体装置的小型、多功能和/或低成本特性，而使半导体装置作为电子产业中的重要元件正在备受关注。半导体装置可以被划分为用于存储逻辑数据的存储装置、用于处理逻辑数据的逻辑装置与包括存储元件和逻辑元件两者的混合装置。为了满足对于具有快速和/或低功耗的电子装置的日益增长的需求，有必要实现具有高可靠性、高性能和/或多功能的半导体装置。为了满足这些技术要求，正在提高半导体装置的复杂性和/或集成度。

发明内容

示例实施例提供了一种包括具有更加改善的电特性的场效应晶体管的半导体装置。

其他示例实施例提供了一种包括具有更加改善的电特性场效应晶体管的半导体装置的制造方法。

根据示例实施例，半导体装置可以包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括第一子接触件和第二子接触件，第一子接触件与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。

在示例实施例中，半导体装置还可以包括设置在PMOSFET区与NMOSFET区之间的装置隔离层，栅极接触件可以设置在与装置隔离层交叉的第一栅极结构上。

在示例实施例中，竖直延伸部分的底表面可以与装置隔离层的顶表面接触。

在示例实施例中，基底可以包括有源图案，有源图案在PMOSFET区和NMOSFET区上沿与第一方向垂直的第二方向延伸。第一栅极结构可以与有源图案交叉。

在示例实施例中，半导体装置还可以包括限定基底中的有源图案的第二装置隔离层。有源图案的上部可以从第二装置隔离层突出。

在示例实施例中，半导体装置还可以包括过孔和导电线，过孔设置在栅极接触件上，导电线设置在过孔上以通过过孔和栅极接触件电连接到第一栅极结构。

在示例实施例中，第一子接触件和第二子接触件可以具有相同的材料并且相互连接而构成单一整体。

在示例实施例中，当在平面图中看时，竖直延伸部分可以与第二子接触件叠置。

在示例实施例中，半导体装置还可以包括与第一栅极结构直接相邻的第二栅极结构。当在平面图中看时，第二子接触件可以设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。

在示例实施例中，半导体装置还可以包括覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的顶表面的覆盖层。竖直延伸部分的底表面可以位于比覆盖层的底表面的水平面低的水平面处。