[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201910915803.2 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110957241A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 守田聪;饱本正巳;森川胜洋;水永耕市 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在以将基板保持于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理中提高基板温度的控制精度。具备:旋转驱动机构,其使保持着基板的旋转台旋转;电加热器,其与旋转台一起旋转地设于旋转台,并加热基板;受电电极,其与旋转台一起旋转地设于旋转台,与电加热器电连接;供电电极,其与受电电极接触而经由它向电加热器供给驱动电力;电极移动机构,其使供电电极和受电电极相对接触、分离;供电部,其向供电电极供给驱动电力;处理杯,其包围旋转台的周围;至少1个处理液喷嘴,其向基板供给处理液;处理液供给机构,其向处理液喷嘴供给处理液;控制部,其控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构以及处理液供给机构。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体装置的制造中,对半导体晶圆等基板实施化学溶液清洗处理、镀覆处理、显影处理等各种液处理。作为进行这样的液处理的装置,存在单片式的液处理装置,其一个例子记载于专利文献1。
专利文献1的基板处理装置具有能够将基板以水平姿势保持并使该基板绕铅垂轴线旋转的旋转卡盘。沿着圆周方向隔开间隔地设置于旋转卡盘的周缘部的多个保持构件用于保持基板。在保持于旋转卡盘的基板的上方和下方分别设置有内置有加热器的圆板状的上表面移动构件和下表面移动构件。在专利文献1的基板处理装置中,用以下的步骤进行处理。
首先,利用旋转卡盘保持基板,使下表面移动构件上升而在基板的下表面(背面)与下表面移动构件的上表面之间形成较小的第1间隙。接着,从在下表面移动构件的上表面的中心部开口的下表面供给路径向第1间隙供给调温后的化学溶液,第1间隙被表面处理用的化学溶液充满。化学溶液被下表面移动构件的加热器调温成预定的温度。另一方面,使上表面供给喷嘴位于基板的上表面(表面)的上方而供给表面处理用的化学溶液,在基板的上表面形成化学溶液的液团(puddle)。接着,上表面供给喷嘴从基板的上方退避,上表面移动构件下降,在上表面移动构件的下表面与化学溶液的液团的表面(上表面)之间形成较小的第2间隙。化学溶液的液团被内置于上表面移动构件的加热器调温成预定的温度。在该状态下,使基板以低速旋转、或者不使晶圆旋转地进行基板的表面和背面的化学溶液处理工序。在化学溶液处理工序的期间,根据需要,从在上表面移动构件的中心部开口的化学溶液供给路径和前述的下表面供给路径向基板的表面和背面补充化学溶液。
在专利文献1的基板处理装置中,基板借助介于基板与加热器之间的流体(处理液和/或气体)被加热。
专利文献1:日本特开2002-219424号公报
发明内容
本公开提供一种能够在以将基板保持于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理中使基板温度的控制精度提高的技术。
本公开的一技术方案的基板处理装置具备:旋转台,其将基板以水平姿势保持;旋转驱动机构,其使所述旋转台绕铅垂轴线旋转;电加热器,其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台,对载置于所述旋转台上的所述基板进行加热;受电电极,其以与所述旋转台一起旋转的方式设置于所述旋转台,并与所述电加热器电连接起来;供电电极,其与所述受电电极接触,并经由所述受电电极向所述电加热器供给驱动电力;电极移动机构,其使所述供电电极和所述受电电极相对地接触、分离;供电部,其向所述供电电极供给所述驱动电力;处理杯,其包围所述旋转台的周围,与排气配管以及排液配管连接起来;至少1个处理液喷嘴,其向所述基板供给处理液;处理液供给机构,其向所述处理液喷嘴供给所述处理液;以及控制部,其控制所述电极移动机构、所述供电部、所述旋转驱动机构以及所述处理液供给机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造