[发明专利]具有低K和超低K介电层的指状电容器在审
| 申请号： | 201910915854.5 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110943165A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 尹春山;洪全敏;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 介电层 电容器 | ||
1.一种集成电路，其特征在于，包括形成指状电容器的多个指状物(410、510)，所述指状电容器包括：
第一介电顶盖层(402、502)；
第一介电层(404、504)，所述第一介电层(404、504)形成于所述介电顶盖层上方并且具有第一K值；
第二介电层(406、506)，所述第二介电层(406、506)形成于所述第一介电层上方并且具有低于所述第一K值的第二K值，其中所述指状物形成于所述第一介电层和所述第二介电层中；和
第二介电顶盖层(412、512、612)，所述第二介电顶盖层(412、512、612)形成于所述指状物和所述第二介电层上方。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于：
所述第一介电层直接形成于所述第一介电顶盖层上方；和
所述第二介电层直接形成于所述第一介电层上方。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述指状电容器进一步包括在所述第二介电层和所述第二介电顶盖层之间的抛光终止层(408、508)。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述抛光终止层直接形成于所述第二介电层上方。
5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述指状物还形成于所述抛光终止层中。
6.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述指状物的顶表面与所述抛光终止层的顶表面共面。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述指状电容器进一步包括形成于所述第二介电层和所述指状物上方的第三介电层(611)，其中所述第二介电顶盖层形成于所述第三介电层上方。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于：
所述第三介电层直接形成于所述第二介电层上方；和
所述第二介电顶盖层直接形成于所述第三介电层上方。
9.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述第三介电层具有第三K值，所述第三K值等于所述第二介电层的所述第二K值。
10.一种用于在集成电路中制造包括多个指状物的指状电容器的方法，其特征在于，所述方法包括：
形成第一介电顶盖层(402、502)；
形成第一介电层(404、504)，所述第一介电层(404、504)在所述介电顶盖层上方并且具有第一K值；
形成第二介电层(406、506)，所述第二介电层(406、506)在所述第一介电层上方并且具有低于所述第一K值的第二K值；
在所述第一介电层和所述第二介电层中形成所述指状物；和
在所述指状物和所述第二介电层上方形成第二介电顶盖层(412、512、612)。
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