[发明专利]一种双向ESD保护器件及电子装置

权利要求书

1.一种双向ESD保护器件，该双向ESD保护器件形成在半导体衬底上，其特征在于，该双向ESD保护器件包括：

形成在所述半导体衬底中的具有第一导电类型的第一阱区和第二阱区；

形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的第三阱区，所述第三阱区位于所述第一阱区和第二阱区之间且与所述第一阱区和第二阱区位于同一直线上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

在所述第一阱区和第二阱区的每一个中形成的至少两个第一注入区和至少两个第二注入区，所述第一注入区具有第一导电类型，所述第二注入区具有第二导电类型，所述至少两个第一注入区沿所述第一阱区/第二阱区的长度方向排列且间隔布置，所述至少两个第二注入区沿所述第一阱区/第二阱区的长度方向排列且间隔布置，所述第一注入区和所述第二注入区位于不同的直线上且彼此错开一定距离，所述第一注入区和所述第二注入区在所述第一阱区/第二阱区的宽度方向上彼此错开；

形成在所述第一阱区和所述第三阱区的交界处以及所述第二阱区和所述第三阱区的交界处的第三注入区，所述第三注入区具有第一导电类型，所述第三注入区沿所述第一阱区/第二阱区的长度方向延伸；

所述第一注入区、第二注入区、第三注入区以及所述第一阱区、第二阱区和第三阱区构成双向SCR器件，所述第一阱区中的所述第一注入区和第二注入区用作所述SCR器件的阳极和阴极其中之一，所述第二阱区中的所述第一注入区和第二注入区用作所述SCR器件的阳极和阴极其中另一。

2.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，所述第一注入区与所述第二注入区相比更靠近所述第三阱区。

3.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，所述第二注入区与所述第一注入区相比更靠近所述第三阱区。

4.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，所述第三注入区形成在所述第一阱区和第二阱区中，并且紧邻所述第三阱区。

5.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，所述第三注入区形成在所述第三阱区中，并且紧邻所述第一阱区和第二阱区。

6.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，所述第三注入区横跨所述第一阱区和第三阱区或横跨所述第二阱区和第三阱区。

7.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，还包括：形成在所述半导体衬底中的位于所述第一阱区和第二阱区之下的埋层，所述埋层具有第二导电类型。

8.根据权利要求1所述的双向ESD保护器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-8的任意一项所述的双向ESD保护器件。