[发明专利]高稳定的黑磷纳米片及其制备方法，以及阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种高稳定的黑磷纳米片，其特征是：有机小分子修饰在黑磷纳米片上，与黑磷纳米片共价连接。

2.如权利要求1所述的高稳定的黑磷纳米片，其特征是：所述有机小分子包括三苯胺、吡啶、苯甲酸中的一种或者几种。

3.如权利要求1所述的高稳定的黑磷纳米片，其特征是：所述黑磷纳米片通过液相剥离制得。

4.如权利要求1所述的高稳定的黑磷纳米片，其特征是：所述黑磷纳米片尺寸为50nm～500nm，优选为100nm～300nm。

5.如权利要求1所述的高稳定的黑磷纳米片，其特征是：所述黑磷纳米片的厚度在10nm以下，优选为5nm～10nm。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的高稳定的黑磷纳米片的制备方法，其特征是：一种高稳定的黑磷纳米片的制备方法，其特征是：将黑磷纳米片与乙腈混合，得到包含黑磷纳米片的乙腈溶液；将有机小分子重氮盐与乙腈混合，得到包含有机小分子重氮盐的乙腈溶液；将两种溶液者混合，在惰性气体保护条件下搅拌反应，然后离心处理，取沉淀物清洗、干燥；

作为优选，所述反应在遮光条件下进行。

7.如权利要求6所述的高稳定的黑磷纳米片的制备方法，其特征是：所述有机小分子重氮盐包括三苯胺重氮盐、吡啶重氮盐、苯甲酸重氮盐中的一种或者几种。

8.如权利要求1至5中任一权利要求所述的高稳定的黑磷纳米片作为阻变存储器的活性层。

9.一种阻变存储器，呈层状结构，自下而上依次为基底、底电极、活性层与顶电极，其特征是：所述活性层由权利要求1至5中任一权利要求所述的高稳定的黑磷纳米片构成。

10.如权利要求9所述的阻变存储器的制备方法，其特征是：包括以下步骤：

(1)将包含所述高稳定的黑磷纳米片的成膜剂通过旋涂、甩胶、印刷、涂覆在底电极上，制得活性层；

所述成膜剂中包含聚合物；

作为优选，所述聚合物包括聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚苯乙烯(PS)中的一种或者几种；

(2)在活性层上制备顶电极。