[发明专利]一种检测硅片背面软损伤密度的方法

权利要求书

1.一种检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、热氧化处理：选取硅片，对硅片进行热氧化处理，在硅片表面形成二氧化硅膜氧化层，其中，硅片的电阻率＞1Ω·cm，且硅片的晶向111或晶向110进行喷砂；

S2、腐蚀：将步骤S1得到的硅片放入氢氟酸中浸泡，去除硅片表面的二氧化硅膜氧化层；

S3、染色：配置三氧化二铬溶液，将步骤S2得到的硅片浸入配置好的三氧化二铬溶液中反应；

S4、清水冲洗：取出步骤S3得到的硅片，采用清水冲洗硅片若干次，将硅片表面的酸性溶液冲洗干净；

S5、计算：在显微镜下观察，采用9点法计算硅片表面平均层错密度，即背面软损伤密度，计算公式如式(1)所示：

N＝n/S (1)

式(1)中，N：单位平方厘米内层错个数；

n：视场范围内层错个数；

S：显微镜特定倍数下视场面积。

2.根据权利要求1所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S1中热氧化处理采用氧化炉管，当氧化炉管内温度升至800-900℃时将硅片放入至炉管内，然后以3-7℃/min升温至1100-1200℃，恒温反应2-4h，恒温反应结束后以2-5℃/min降温至800-900℃取出硅片。

3.根据权利要求2所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S1中恒温反应在湿氧氛围下进行，氧气通入量为900-1100ml/min。

4.根据权利要求1所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S2中氢氟酸的质量浓度为49％，浸泡时间为35-45s。

5.根据权利要求1所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S3中配置三氧化二铬溶液时，首先配置A液，A液由三氧化二铬和水混合而成，其中每1000ml水中溶解450-600g三氧化二铬，然后将A液和质量浓度为49％的氢氟酸混合，A液和氢氟酸的体积比为1：(0.8-1.2)，得到三氧化二铬溶液。

6.根据权利要求1所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S3中反应时间为12-18s，反应过程中不断晃动硅片。

7.根据权利要求6所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S3中反应时，硅片表面与溶液液面之间保持2-4cm距离。

8.根据权利要求1所述的检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：步骤S4中清水冲洗至少3次，每次冲洗时间不低于20s。