[发明专利]特高频局部放电传感器性能检测方法及系统

权利要求书

1.一种特高频局部放电传感器性能检测方法，其特征在于，包括：

获取吉赫横电磁波传输室的传递函数；

将被试传感器放置于吉赫横电磁波传输室内后：

特高频脉冲发生器发出预定幅值和波形的预定脉冲信号；

射频耦合器将预定脉冲信号按比例分配为输出脉冲信号和耦合脉冲信号；

吉赫横电磁波传输室根据输出脉冲信号产生激励电场；

超高速信号采集装置同时获取被试传感器根据激励电场产生的响应信号，以及射频耦合器耦合端输出的耦合脉冲信号；

根据吉赫横电磁波传输室的传递函数、被试传感器的响应信号，以及耦合脉冲信号，得到被试传感器的等效响应高度；

所述获取吉赫横电磁波传输室的传递函数，具体包括：

以多个不同频率的预设连续波通过射频耦合器，激励吉赫横电磁波传输室；

同时测量吉赫横电磁波传输室中测试位置的电场E_G(f)和输入至吉赫横电磁波传输室的电压V_I(f)；

获取射频耦合器输出端对耦合端的传递函数H_coupler(f)；

根据所述电场E_G(f)、电压V_I(f)和传递函数H_coupler(f)计算得到吉赫横电磁波传输室的传递函数。

2.根据权利要求1所述的特高频局部放电传感器性能检测方法，其特征在于，所述被试传感器的响应信号为被试传感器的响应电压v_s(t)，对应射频耦合器耦合端输出的耦合脉冲信号为耦合电压波形v_g(t)。

3.根据权利要求2所述的特高频局部放电传感器性能检测方法，其特征在于，所述根据吉赫横电磁波传输室的传递函数、被试传感器的响应信号，以及耦合脉冲信号，得到被试传感器的等效响应高度，具体包括：

分别将当前被试传感器的响应电压v_s(t)和对应耦合电压波形v_g(t)进行傅里叶变换，得到被试传感器变换后的响应电压V_s(f)和对应变换后的耦合电压波形V_g(f)；

根据吉赫横电磁波传输室的传递函数H_GTEM(f)、被试传感器变换后的响应电压V_s(f)和对应变换后的耦合电压波形V_g(f)，计算得到被试传感器的等效响应高度H_sense(f)。

4.根据权利要求3所述的特高频局部放电传感器性能检测方法，其特征在于，所述被试传感器的等效响应高度H_sense(f)的计算公式为：

公式(1)中，V_s(f)为被试传感器变换后的响应电压，V_g(f)为对应变换后的耦合电压波形，H_GTEM(f)为吉赫横电磁波传输室的传递函数。

5.根据权利要求4所述的特高频局部放电传感器性能检测方法，其特征在于，所述获取吉赫横电磁波传输室的传递函数，具体包括：

以多个不同频率的预设连续波通过射频耦合器，激励吉赫横电磁波传输室；

同时测量吉赫横电磁波传输室中测试位置的电场E_G(f)和射频耦合器耦合端输出的耦合电压V_C(f)；

根据所述电场E_G(f)和耦合电压V_C(f)，计算得到吉赫横电磁波传输室的传递函数。

6.根据权利要求5所述的特高频局部放电传感器性能检测方法，其特征在于，所述吉赫横电磁波传输室传递函数H_GTEM(f)的计算公式为：

公式(2)中，E_G(f)为当前吉赫横电磁波传输室中测试位置的电场，V_C(f)为对应射频耦合器耦合端输出的耦合电压。