[发明专利]具有无孔参比接界的传感器

权利要求书

1.一种参比半电池，所述参比半电池用于测量被测介质的至少一个被测变量的电化学传感器，所述参比半电池包括：

壳体，所述壳体限定包含电解质的腔室，所述壳体包括具有穿过所述壳体的孔的壁；

电极，所述电极被布置在所述腔室中的所述电解质中；以及

参比接界，所述参比接界被布置在所述孔中，使得所述参比接界与所述壳体壁之间的交界面是不可渗透的，其中所述参比接界是电气导电或离子导电的、是无孔的且对于所述被测介质和所述电解质之间的质量传递是不可渗透的，并且所述参比接界对待测分析物不敏感，其中测量介质的所述分析物是氢离子(H⁺)，并且其中当与所述测量介质接触时，所述参比接界使得电流能够在所述电极与测量半电池之间流动，所述测量半电池对所述分析物敏感，并且其中所述接界是含碳化合物。

2.根据权利要求1所述的参比半电池，其中，所述参比接界包括三氟化镧。

3.根据权利要求1所述的参比半电池，其中，所述参比接界包括石墨、玻璃状碳或石墨烯。

4.根据权利要求1所述的参比半电池，其中，所述参比接界包括具有小于2千兆欧姆的阻抗的离子导电玻璃。

5.根据权利要求1所述的参比半电池，其中，所述电极是涂覆有卤化银的银线。

6.根据权利要求5所述的参比半电池，其中，所述卤化银是氯化银，并且其中所述电解质包括氯化钾。

7.根据权利要求1所述的参比半电池，其中，所述电解质是凝胶、液体或固体。

8.一种用于测量介质的至少一个被测变量的电化学传感器，所述电化学传感器包括：

测量半电池，所述测量半电池包括：测量壳体，所述测量壳体包括测量电极；测量电解质；以及离子选择性感测元件，所述离子选择性感测元件对待测的所述介质的一个种类敏感；以及

参比半电池，所述参比半电池包括：

参比壳体，所述参比壳体限定包含参比电解质的腔室，所述参比壳体包括具有穿过所述壳体的孔的壁；

参比电极，所述参比电极被布置在所述腔室中的所述参比电解质中；以及

参比接界，所述参比接界被布置在所述孔中，使得所述参比接界与所述壳体壁之间的交界面是不可渗透的，其中所述参比接界是电气导电或离子导电的、无孔的且对于所述介质和所述参比电解质之间的质量传递是不可渗透的，并且对待测的种类不敏感，其中，待测的所述种类是是氢离子(H⁺)，并且其中当与所述测量介质接触时所述参比接界使得电流能够在所述参比电极与所述测量电极之间流动。

9.根据权利要求8所述的电化学传感器，其中，所述参比接界包括三氟化镧。

10.根据权利要求8所述的电化学传感器，其中，所述参比接界包括含碳化合物。

11.根据权利要求9所述的电化学传感器，其中，所述参比接界包括石墨、玻璃状碳或石墨烯。

12.一种用于测量介质的至少一个被测变量的氧化还原电位传感器，所述氧化还原电位传感器包括：

参比半电池，所述参比半电池包括：

参比壳体，所述参比壳体限定包含参比电解质的腔室，所述参比壳体包括具有穿过所述壳体的孔的壁；

参比电极，所述参比电极被布置在所述腔室中的所述参比电解质中；以及

参比接界，所述参比接界被布置在所述孔中，使得所述参比接界与所述壳体壁之间的交界面是不可渗透的，其中所述参比接界是电气导电的、无孔的且对于所述介质和所述参比电解质之间的质量传递是不可渗透的；并且对待测分析物不敏感，其中所述待测分析物是氢离子(H⁺)；以及

对所述分析物敏感的测量电极，其中当与所述介质接触时所述参比接界使得电流能够在所述参比电极与所述测量电极之间流动。