[发明专利]晶圆翻转定位装置在审
申请号: | 201910917753.1 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110690155A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 周李渊 | 申请(专利权)人: | 长园启华智能科技(珠海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 成婵娟 |
地址: | 519080 广东省珠海市唐家湾镇软*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹爪 翻转结构 夹持组件 收容空间 吸附结构 旋转结构 晶圆 吸板 底板 定位结构 升降结构 翻转 光刻 翻转定位装置 翻转定位 高速搬运 滑动安装 间隙连通 转动安装 不接触 朝上 夹持 刻面 上移 吸附 种晶 | ||
本发明公开了一种晶圆翻转定位装置,包括底板、翻转结构及两定位结构,翻转结构及两定位结构固定安装于底板,翻转结构包括升降结构、旋转结构及吸附结构,吸附结构包括吸板,旋转结构滑动安装于升降结构,吸板转动安装于旋转结构,每一定位结构包括保护夹爪,保护夹爪包括两夹持组件,两夹持组件之间形成间隙及与间隙连通的收容空间,晶圆被两夹持组件夹持于收容空间中并且光刻面朝上,吸板通过间隙进入收容空间,吸附晶圆后上移进行翻转,翻转后下降至另一定位结构的保护夹爪中,此时光刻面朝下,通过吸附结构及保护夹爪,晶圆能够高速搬运翻转定位,并且无污染,不接触光刻面。
技术领域
本发明涉及晶圆产业,尤其是涉及一种晶圆翻转定位装置。
背景技术
一般,当硅结晶成很大的、在其大部分长度上为圆柱体之后,要把这种柱状结晶材料切割成很薄的、成为硅晶片的圆片,由于其形状为圆形,这样的硅晶片也可称为晶圆(Wafer)。在晶圆上可进一步加工制作成各种电路元件结构,从而成为有特定电性功能的集成电路产品。
晶圆产品的特性易碎并且光刻面不允许与其他物体有直接接触以免被污染,这种特性导致但晶圆加工过程中翻转定位困难。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种可以无污染,不接触光刻面,高速搬运翻转定位的晶圆翻转定位装置。
本发明的目的采用以下技术方案实现:
一种晶圆翻转定位装置,包括底板、翻转结构及两定位结构,所述翻转结构及两所述定位结构固定安装于所述底板,所述翻转结构包括升降结构、旋转结构及吸附结构,所述吸附结构包括吸板,所述旋转结构滑动安装于所述升降结构,所述吸板转动安装于所述旋转结构,每一所述定位结构包括保护夹爪,所述保护夹爪包括两夹持组件,两所述夹持组件之间形成间隙及与所述间隙连通的收容空间,晶圆被两所述夹持组件夹持于所述收容空间中并且光刻面朝上,所述吸板通过所述间隙进入所述收容空间,吸附所述晶圆后上移进行翻转,翻转后下降至另一所述定位结构的保护夹爪中,此时光刻面朝下。
进一步地,所述夹持组件包括夹持件,所述夹持件设有粗定位夹持面及精定位夹持面,所述粗定位夹持面及所述精定位夹持面连接。
进一步地,所述粗定位夹持面呈弧面。
进一步地,所述精定位夹持面呈斜面并与水平面呈锐角夹角。
进一步地,所述粗定位夹持面及所述精定位夹持面截面呈钝角夹角。
进一步地,每一夹持组件上的所述粗定位夹持面及所述精定位夹持面的数量分别为两个,两所述粗定位夹持面与另一夹持组件上对应的粗定位夹持面之间的距离不同,使所述保护夹爪能够夹持不同尺寸的晶圆。
进一步地,所述升降结构包括电机及滑台,所述电机与所述滑台连接,所述旋转结构安装于所述滑台上。
进一步地,所述旋转结构包括气缸安装板及旋转气缸,所述气缸安装板安装于所述滑台,所述旋转气缸固定安装于所述气缸安装板。
进一步地,所述吸附结构还包括真空发生器及真空锁板,所述真空锁板固定安装于所述旋转气缸,所述吸板固定安装于所述真空锁板,所述吸板设有吸附端,所述吸附端与所述真空发生器连通。
进一步地,所述定位结构还包括夹紧气缸,所述夹紧气缸包括气缸主体及两气爪夹头,所述气缸主体设有滑槽,两所述气爪夹头滑动安装于所述滑槽,两所述夹持组件分别固定于两所述气爪夹头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造