[发明专利]可变电阻存储器装置

权利要求书

1.一种可变电阻存储器装置，包括：

可变电阻图案，其设置在衬底上；

第一氮化物层，其覆盖所述可变电阻图案的至少一部分；以及

第二氮化物层，其形成在所述第一氮化物层上，

其中，所述第一氮化物层中的氮含量小于所述第二氮化物层中的氮含量。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中，所述第一氮化物层的密度小于所述第二氮化物层的密度。

3.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中，所述第一氮化物层和所述第二氮化物层包括实质上相同的氮化物，并且

其中，所述第一氮化物层和所述第二氮化物层包括未掺杂的氮化硅。

4.根据权利要求所述1的可变电阻存储器装置，其中，所述第一氮化物层沿着所述可变电阻图案的表面设置，并且

其中，通过所述第一氮化物层将所述第二氮化物层与所述可变电阻图案间隔开。

5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中，所述可变电阻存储器装置还包括开关图案，并且

其中，所述可变电阻图案和所述开关图案串联连接。

6.根据权利要求5所述的可变电阻存储器装置，还包括：

绝缘层，其覆盖所述可变电阻图案的至少一部分，

其中，所述第一氮化物层覆盖所述开关图案的侧壁和所述绝缘层的顶表面。

7.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，还包括：

第一导电线，其设置在所述衬底上；以及

第二导电线，其与所述第一导电线交叉并且位于所述第一导电线上，

其中，所述可变电阻图案设置在所述第一导电线与所述第二导电线的交叉点处。

8.根据权利要求7所述的可变电阻存储器装置，还包括：

顶电极，其位于所述可变电阻图案上；以及

接触件，其穿过所述第一氮化物层和所述第二氮化物层以连接所述可变电阻图案和所述第二导电线。

9.一种可变电阻存储器装置，包括：

第一导电线，其设置在衬底上；

第二导电线，其与所述第一导电线交叉并且位于所述第一导电线上；

存储器单元，其包括可变电阻图案，并且设置在所述第一导电线和所述第二导电线的交叉点处；以及

保护层，其密封所述衬底上的所述存储器单元并且包括氮化硅，

其中，所述保护层中的氮含量随着距所述保护层与所述存储器单元之间的界面的距离增大而增大。

10.根据权利要求9所述的可变电阻存储器装置，其中，所述保护层的密度随着距所述保护层与所述存储器单元之间的界面的距离增大而增大。

11.根据权利要求9所述的可变电阻存储器装置，其中，所述保护层包括未掺杂的氮化硅。

12.根据权利要求9所述的可变电阻存储器装置，其中，所述保护层与所述存储器单元的侧壁接触。

13.根据权利要求9所述的可变电阻存储器装置，其中，所述存储器单元还包括开关图案，并且

其中，所述可变电阻图案和所述开关图案彼此串联连接。

14.根据权利要求9所述的可变电阻存储器装置，还包括：

接触件，其穿过所述保护层，以连接所述存储器单元和所述第二导电线。

15.根据权利要求9所述的可变电阻存储器装置，其中，所述保护层中的氮含量随着距所述保护层与所述存储器单元之间的界面的距离而连续改变。