[发明专利]快速制备碳化硅的装置有效
申请号: | 201910918243.6 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110499532B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李超 | 申请(专利权)人: | 衡水学院 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人: | 王占华 |
地址: | 053000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 制备 碳化硅 装置 | ||
1.一种快速制备碳化硅的装置,其特征在于:包括炉体,所述炉体的内部设置有生长腔主体(8),所述生长腔主体(8)的上端开口上设置有生长腔上盖(7),所述生长腔主体(8)与生长腔上盖(7)构成第二生长腔,所述第二生长腔的上侧设置有上电阻加热器(6),所述第二生长腔的外周从上到下设置有上感应线圈(20)和主感应线圈(19),所述第二生长腔的下侧设置有下感应线圈(14),通过所述上电阻加热器(6)、上感应线圈(20)、主感应线圈(19)和下感应线圈(14)对所述第二生长腔进行加热;所述第二生长腔内设置有多孔氮化硼内衬主体(18),所述内衬主体上设置有若干个内衬孔(18-3),所述内衬主体的上端开口处设置有氮化硼内衬上盖(23),所述多孔氮化硼内衬主体(18)与所述氮化硼内衬上盖(23)构成第一生长腔,所述第一生长腔与第二生长腔之间的空间内设置有碳化硅块(27);陶瓷籽晶杆(1)的下端从上到下依次穿过炉体、生长腔上盖(7)、氮化硼内衬上盖(23)后进入到所述第一生长腔内,所述陶瓷籽晶杆(1)内设置有液态冷却金属腔,通过液态冷却金属注入管(1-4)向液态冷却金属腔注入液态金属,陶瓷籽晶杆位于第一生长腔内的一端上固定连接有籽晶夹持(28),碳化硅籽晶(10)固定在所述籽晶夹持(28)上,所述炉体上设置有充气管(17)和排气管(24),通过所述充气管(17)向所述炉体内充入惰性气体;所述碳化硅块(27)在受热升华为SimCn气体后,通过载气的作用不断的进入到第一生长腔内,SimCn气体传输到碳化硅籽晶(10)的固/气界面上形成碳化硅晶体并不断长大,直至生长至所需尺寸,其中,m=1或2,n=0、1或2;
所述上电阻加热器(6)设置有两个,分别位于所述陶瓷籽晶杆(1)的左右两侧,每个所述上电阻加热器(6)的上侧设置有一个导流屏(5),所述导流屏用于将生长腔内挥发出的气体导流至沉积板(25)附近;每个所述导流屏(5)上侧的炉体内壁上设置有一个沉积板(25),所述沉积板用于沉积收集未参与沉积的升华的SimCn气体,所述沉积板(25)内部有水冷装置,用于降低其表面温度;
所述陶瓷籽晶杆(1)包括液态金属导流管(1-1),所述液态金属导流管(1-1)的下端设置有连接部(1-2),所述连接部(1-2)的内径大于所述导流管的内径,且所述导流管与所述连接部(1-2)内的腔体相连通,所述连接部(1-2)的外周设置有外螺纹(1-3),籽晶夹持(28)上设置有内螺纹(28-1),籽晶夹持(28)与所述连接部(1-2)之间通过相互配合的螺纹固定连接,所述籽晶夹持(28)的下端设置有籽晶夹持腔,碳化硅籽晶(10)的上端插入到所述籽晶夹持腔内,且通过位于所述夹持腔两侧的籽晶顶丝螺杆(28-2)进行固定;所述液态金属导流管(1-1)内设置有液态冷却金属注入管(1-4),所述液态冷却金属注入管(1-4)内设置有第一热电偶(3),所述第一热电偶(3)的下端嵌入连接部(1-2)的底部,用于测量碳化硅籽晶(10)处的温度信息,所述液态冷却金属注入管(1-4)用于向所述连接部的腔体内注入液态冷却金属;
所述陶瓷籽晶杆(1)与所述生长腔上盖(7)之间设置有陶瓷挡塞(4),所述氮化硼内衬上盖(23)内部设置内加热丝(22),用于防止连接部(1-2)沉积碳化硅;所述内加热丝(22)的供电导线(26)经过陶瓷挡塞(4)上的陶瓷挡塞电极孔(4-1)引出;
所述生长腔主体(8)的左侧壁、下侧壁和右侧壁上设置有一根以上的侧壁载气管,所述侧壁载气管的内侧与所述生长腔主体(8)相连通,所述侧壁载气管的外侧端部延伸至所述炉体的外侧,所述生长腔主体(8)的下侧壁上设置有下壁热电偶腔(8-2),所述生长腔主体(8)的右侧壁上设置有右壁热电偶腔(8-1),所述右壁热电偶腔(8-1)和下壁热电偶腔(8-2)通过螺纹连接的方式固定在生长腔主体(8)上,待多孔氮化硼内衬主体(18)放置入生长腔主体(8)后再将右壁热电偶腔(8-1)和下壁热电偶腔(8-2)连接在生长腔主体(8)上;所述多孔氮化硼内衬主体(18)在与所述下壁热电偶腔(8-2)相对应的位置设置有内衬下壁热电偶插孔(18-2),所述多孔氮化硼内衬主体(18)在与所述右壁热电偶腔(8-1)相对应的位置设置有内衬右壁热电偶插孔(18-1);所述右壁热电偶腔(8-1)内设置有第二热电偶(12),所述下壁热电偶腔(8-2)内设置有第三热电偶(15),所述第二热电偶(12)用于测量所述多孔氮化硼内衬主体(18)右侧中部的温度信息,所述第三热电偶(15)用于测量所述多孔氮化硼内衬主体(18)底侧中部的温度信息,位于所述第一生长腔外的所述第二热电偶(12)和第三热电偶(15)的外周设置水冷铜线圈(11)。
2.如权利要求1所述的快速制备碳化硅的装置,其特征在于:所述侧壁载气管与所述炉体的接触部设置有电铸金属接口(29),通过所述电铸金属接口(29)实现与炉体的密封连接;所述侧壁载气管、充气管(17)以及排气管(24)上设置有阀体。
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