[发明专利]表面声波装置及其制造方法

说明书

一种表面声波装置具有压电基板、支撑层、罩盖层及柱状凸块，该支撑层设置于该压电基板上并围绕电极单元，该罩盖层罩盖该支撑层，该柱状凸块形成于该支撑层的下成形孔及该罩盖层的上成形孔中，该上成形孔具有一侧开口，该侧开口位于该罩盖层的侧面，位于该罩盖层的该柱状凸块由该侧开口凸出于该罩盖层的侧面。

技术领域

本发明关于一种表面声波装置，特别是一种可提升频率响应性能的表面声波装置。

背景技术

请参阅图21，一种现有习知的表面声波元件200包含压电基板210、墙体220、盖体230、凸块240及接合件250，该压电基板210具有底板211、导接垫212及交叉指状(Interdigital Transducer,IDT)电极213，该导接垫212及该IDT电极213设置于该底板211的表面，该墙体220环绕该IDT电极213，该盖体230罩盖该墙体220，该IDT电极213位于该盖体230及该压电基板210之间的空间，该凸块240设置于贯穿该墙体220及该盖体230的通孔中，且该接合件250借由该凸块240与该导接垫212电性连接。

该凸块240是设置于该墙体220及该盖体230内部的通孔中，因此该表面声波元件200封装后的整体面积明显大于容纳该IDT电极213的空间面积，容易产生杂散电容而影响表面声波元件的性能。

表面声波元件激发/接收表面声波及频率响应的能力与IDT电极的对数(pair)呈正比，若要增加IDT电极的数目以提升表面声波元件激发/接收表面声波及频率响应的能力，需要增加表面声波元件的面积以形成较大的空间容纳IDT电极，但增加面积并不符合微型化的发展趋势，此外，在增加IDT电极对数以提升表面声波元件性能的同时，IDT电极所产生的热能不易快速排除，因此会影响到表面声波元件的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种表面声波装置，可缩小电极容纳空间与封装体之间的面积差异，以避免产生杂散电容而影响性能。

本发明的一种表面声波装置，其包含压电基板、支撑层、罩盖层及柱状凸块，该压电基板具有底板、导接垫及电极单元，该导接垫及该电极单元设置于该底板，该导接垫电性连接该电极单元，该支撑层设置于该压电基板并围绕该电极单元，下成形孔及开孔形成于该支撑层，下成形孔位于该开孔的外侧，该下成形孔显露该导接垫，该开孔位于该电极单元上方，该罩盖层设置于该支撑层并罩盖该开孔，上成形孔形成于该罩盖层，该上成形孔位于该下成形孔上方并连通该下成形孔，其中该上成形孔具有第一上开口、第一下开口及第一侧开口，该第一上开口位于该罩盖层的上表面，该第一下开口位于该罩盖层的下表面，该第一侧开口位于该罩盖层的侧面，该第一侧开口的两端分别连接该第一上开口及该第一下开口，该柱状凸块设置于该下成形孔及该上成形孔，该柱状凸块连接该导接垫，其中位于该罩盖层的该柱状凸块具有第一部及第二部，该第一部位于该上成形孔内，该第二部由该上成形孔的该第一侧开口凸出于该罩盖层的该侧面。

前述的表面声波装置，其中位于该支撑层的该柱状凸块具有第三部及第四部，该第三部连接该第一部，该第四部连接该第二部，该第三部及该第四部位于该下成形孔内。

前述的表面声波装置，其中该下成形孔具有第二上开口、第二下开口及第二侧开口，该第二上开口位于该支撑层的上表面，该第二下开口位于该支撑层的下表面，该第二侧开口位于该支撑层的侧面，且该第二侧开口的两端分别连接该第二上开口及该第二下开口。

前述的表面声波装置，其中位于该支撑层的该柱状凸块具有第三部及第四部，该第三部连接该第一部并位于该下成形孔内，该第四部连接该第二部并由该下成形孔的该第二侧开口凸出于该支撑层的该侧面。

前述的表面声波装置，其另包含接合件，该接合件设置于该柱状凸块的顶面，该接合件借由该柱状凸块电性连接该导接垫。

前述的表面声波装置，其中该压电基板另具有保护层，该保护层覆盖该电极单元并显露该导接垫。