[发明专利]图形转移方法有效
| 申请号： | 201910918577.3 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112563121B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈广辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 转移 方法 | ||
1.一种图形转移方法，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有目标层，在所述目标层上形成掩膜层；
在所述掩膜层上形成光刻胶层，使用光刻工艺图案化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；
使用所述光刻胶图形图案化所述掩膜层，形成掩膜图形；
使用所述掩膜图形图案化所述目标层，形成目标层图形；
其中，所述掩膜层包括掺杂氮元素和硼元素的掺杂碳薄膜；所述氮元素占所述掺杂碳薄膜的2wt％～10wt％，所述硼元素占所述掺杂碳薄膜的2wt％～10wt％；
所述氮元素的掺杂比例用于降低所述掺杂碳薄膜的折射率；
所述硼元素的掺杂比例用于提高所述掺杂碳薄膜的折射率；
所述掩膜层的厚度为50nm～700nm。
2.根据权利要求1所述的一种图形转移方法，其特征在于，所述目标层为介电层或导电层。
3.根据权利要求1所述的一种图形转移方法，其特征在于，在所述目标层上形成所述掩膜层的步骤，包括：
将所述衬底放入处理腔室；
设定工艺参数；
向所述处理腔室通入反应气体以形成所述掩膜层，所述反应气体包括碳源反应气体和掺杂反应气体，所述掺杂反应气体包括氮源气体和硼源气体。
4.根据权利要求3所述的图形转移方法，其特征在于，所述碳源反应气体和所述掺杂反应气体的流量之比为2：1至100：1。
5.根据权利要求4所述的一种图形转移方法，其特征在于，所述碳源反应气体的流量为100标准毫升/分钟～10000标准毫升/分钟，所述掺杂反应气体的流量不大于5000标准毫升/分钟。
6.根据权利要求3所述的图形转移方法，其特征在于，所述氮源气体包括氨气。
7.根据权利要求3所述的图形转移方法，其特征在于，所述硼源气体包括乙硼烷。
8.根据权利要求3所述的图形转移方法，其特征在于，在所述目标层上形成所述掩膜层的步骤，还包括：
向所述处理腔室通入惰性气体。
9.根据权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，使用光刻工艺图案化所述光刻胶层的步骤，包括以下工艺参数：
烘烤温度为70℃～110℃；烘烤时间为10min～30min；曝光量为20mJ/cm2～30mJ/cm2。
10.根据权利要求1所述的一种图形转移方法，其特征在于，使用所述光刻胶图形图案化所述掩膜层，形成掩膜图形的步骤，包括：使用干法蚀刻所述掩膜层以形成所述掩膜图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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