[发明专利]一种OLED封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED封装结构的制备方法，包括基板、设于基板上的阳极层，其特征在于，所述封装结构还包括由下到上依次设于阳极层上的OLED层、ALD膜层、第一氮硅化合物层、PMMA层、第二氮硅化合物层、绝缘滤光组件层和玻璃盖板，所述封装结构内形成有贯穿ALD膜层、第一氮硅化合物层及PMMA层的环形孔腔，所述环形孔腔内设有反射膜层；

所述反射膜层是采用磁控溅射形成Ag膜层；

所述阳极层包括阳极金属层和填充于相邻阳极金属之间的硅氧化合物；

所述OLED层与ALD膜层之间设有保护层；

所述保护层包括设于OLED层上的CPL层和设于CPL层上的LiF层；

包括如下步骤：

步骤一、在基板上制备阳极金属层；

步骤二、在阳极金属之间填充硅氧化合物；

步骤三、在阳极金属层及填充硅氧化合物形成的结构层上蒸镀OLED层；

步骤四、在OLED层上依次蒸镀CPL层与LiF层；

步骤五、在LiF层上制备ALD膜层；

步骤六、在ALD膜层上制备第一氮硅化合物层；

步骤七、在第一氮硅化合物层上喷墨打印PMMA层；

步骤八、在PMMA层上涂胶，之后经曝光、显影、从PMMA层依次向下刻蚀至LiF层为止而形成环形孔腔；

步骤九、在环形孔腔上方采用磁控溅射的方式溅射形成填满环形孔腔的Ag膜层，再将表面Ag膜层刻蚀掉，形成Ag膜层环形孔腔；

步骤十、在PMMA层上制备第二氮硅化合物层；

步骤十一、在第二氮硅化合物层上制备第一绝缘覆盖层；

步骤十二、在第一绝缘覆盖层上制备彩色滤光层；

步骤十三、在彩色滤光层上制备第二绝缘覆盖层；

步骤十四、在第二绝缘覆盖层上贴合玻璃盖板。

2.根据权利要求1所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘滤光组件层包括设于第二氮硅化合物层与玻璃盖板之间且由下到上依次设置的第一绝缘覆盖层及彩色滤光层。

3.根据权利要求2所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘滤光组件层还包括设于彩色滤光层与玻璃盖板之间且由下到上依次设置的第二绝缘覆盖层。

4.根据权利要求3所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述阳极层包括多个相间隔设置的阳极金属，相邻阳极金属之间的间距小于10000A且大于5000A。

5.根据权利要求4所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤九中将表面Ag膜层刻蚀掉的方法是经涂胶、曝光、显影后，将表面Ag膜层全部刻蚀掉，仅留下环形孔腔内Ag膜层，Ag膜层环形孔腔的厚度为5000A。