[发明专利]存储器装置中的并行存储器存取及计算在审

专利信息
申请号: 201910919564.8 申请日: 2019-09-26
公开(公告)号: CN111045644A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: G·戈洛夫 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F7/57 分类号: G06F7/57;G06F17/16;G06N3/063;G06N3/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 中的 并行 存取 计算
【权利要求书】:

1.一种集成电路存储器装置,其包括:

多个存储器区;

算术计算元件矩阵,其经耦合以并行存取所述多个存储器区;及

通信接口,其耦合到所述算术计算元件矩阵且经配置以接收第一请求;

其中响应于所述第一请求,所述算术计算元件矩阵经配置以存取存储在所述多个存储器区中的第一存储器区中的多个操作数列表,依据所述多个操作数列表产生结果列表,并将所述结果列表存储在所述多个存储器区中的第二存储器区中;

其中于在所述第一请求之后且在完成将所述结果列表存储到所述第二存储器区中之前的时间周期期间,

所述通信接口经配置以接收要存取所述多个存储器区中的第三存储器区的第二请求;且

响应于所述第二请求且在所述时间周期期间,所述集成电路存储器装置经配置以通过所述通信接口将对所述第一存储器区及所述第二存储器区的存储器存取并行提供到所述算术计算元件矩阵以便于计算所述结果列表,且提供对所述第三存储器区的存储器存取以服务于所述第二请求;且

其中所述集成电路存储器装置囊封在集成电路封装内。

2.根据权利要求1所述的集成电路存储器装置,其中所述多个存储器区提供动态随机存取存储器DRAM、交叉点存储器或快闪存储器或者以上各项中的任何组合。

3.根据权利要求2所述的集成电路存储器装置,其中所述多个存储器区形成在第一集成电路裸片上;且所述算术计算元件矩阵形成在第二集成电路裸片上,所述第二集成电路裸片不同于所述第一集成电路裸片。

4.根据权利要求3所述的集成电路存储器装置,其进一步包括:

一组硅通孔TSV,其耦合在所述第一集成电路裸片与所述第二集成电路裸片之间以将所述算术计算元件矩阵连接到所述多个存储器区。

5.根据权利要求3所述的集成电路存储器装置,其进一步包括:

导线,其囊封在所述集成电路封装内,且耦合在所述第一集成电路裸片与所述第二集成电路裸片之间以将所述算术计算元件矩阵连接到所述多个存储器区。

6.根据权利要求1所述的集成电路存储器装置,其中所述算术计算元件矩阵包括:

算术逻辑单元阵列,其经配置以对多个数据集并行执行运算,其中所述数据集中的每一者包含来自所述操作数列表中的每一者的一个数据元素。

7.根据权利要求6所述的集成电路存储器装置,其中所述算术计算元件矩阵包括:

状态机,其经配置以控制所述算术逻辑单元阵列执行由不同操作码识别的不同计算。

8.根据权利要求7所述的集成电路存储器装置,其中所述状态机进一步经配置以控制所述算术逻辑单元阵列对所述操作数列表执行计算,所述操作数列表具有比可由所述算术逻辑单元阵列并行处理的所述多个数据集多的数据集。

9.根据权利要求7所述的集成电路存储器装置,其中所述算术计算元件矩阵进一步包括:

高速缓冲存储器,其经配置以存储由所述算术逻辑单元阵列并行产生的结果列表。

10.根据权利要求9所述的集成电路存储器装置,其中所述第三存储器区与所述第二存储器区相同。

11.根据权利要求9所述的集成电路存储器装置,其中所述第三存储器区不同于所述第二存储器区。

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