[发明专利]具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法，其特征在于：在氯化钴溶液中加入PAA，再先后加入NaBH₄和KMnO₄溶液反应得到PAA修饰的空心纳米MCO，PAA修饰的空心纳米MCO加入PEG-NH₂进行反应，得到氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO。

2.根据权利要求1所述的具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法，其特征在于具体步骤为：

A、称取2mg~20mg的氯化钴，用20ml~200ml的水溶解配制成溶液，随后将溶液搅拌20min-60min；

B、向10mg~20mg的氯化钴溶液中加入20mg~80mg的PAA试剂，室温搅拌反应60min~300min，然后加入4mg-8mg NaBH₄，搅拌得到PAA修饰的纳米钴；

C、将步骤B中获得PAA修饰的纳米钴溶液取10mg~20mg与10mg~40mg KMnO₄室温搅拌反应10min~20min，离心得到沉淀，去离子水洗涤，得到PAA修饰的空心纳米MCO；

D、将步骤C中获得PAA修饰的空心纳米MCO溶液取20mg~40mg与80mg~160mg PEG-NH₂室温搅拌反应2h~4h，离心得到沉淀，去离子水洗涤，得到具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO。

3.根据权利要求2所述的具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法，其特征在于：步骤A中氯化钴的质量为15mg；用水的体积为150ml；室温反应时间为30min。

4.根据权利要求3所述的具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法，其特征在于：步骤B中氯化钴溶液的质量为15mg； PAA试剂的质量为40mg；室温反应时间为120min；NaBH₄的质量为6mg；室温反应时间为2min。

5.根据权利要求4所述的具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法，其特征在于：步骤C中PAA修饰的纳米钴溶液的质量为20mg； KMnO₄试剂的质量为40mg；室温反应时间为20min。

6.根据权利要求5所述的具有氧化还原响应的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法，其特征在于：步骤D中PAA修饰的空心纳米MCO溶液为40mg； PEG-NH₂的质量为100mg；室温反应时间为2h。

7.权利要求1-6中任一项所述的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO的制备方法制得的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO。

8.权利要求7所述的T1/T2双模态纳米造影剂空心MCO在制备声光成像或核磁共振成像的造影剂中的应用。