[发明专利]一种新型晶硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种新型晶硅太阳电池，其特征在于，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的新型晶硅太阳电池，其特征在于，包括：第二金属电极和背面钝化层，所述二金属电极穿透过所述背面钝化层并与第一背面N型硅欧姆接触。

3.根据权利要求2所述的新型晶硅太阳电池，其特征在于，所述背面钝化层正面设有背面N型硅。

4.根据权利要求3所述的新型晶硅太阳电池，其特征在于，包括：第一金属电极和P型硅，在所述背面N型硅和背面钝化层中开设有开槽，所述第一金属电极穿透过开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述背面N型硅之间间隔设有背面钝化层。

5.根据权利要求4所述的新型晶硅太阳电池，其特征在于，从背面N型硅的正面由里到外依次设有P型硅片、正面N型硅和正面钝化层。

6.一种新型晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)P型硅片表面制绒，P型硅片背面抛光；

2)P型硅片正面和背面均磷扩散，在P型硅片正面和背面形成正面N型硅、背面N型硅、正面磷硅玻璃和背面磷硅玻璃；

3)P型硅片背面激光掺杂，增大激光掺杂区域的磷掺杂浓度；

4)P型硅片正面和背面去除正面磷硅玻璃和背面磷硅玻璃，对P型硅片背面激光开槽，开槽区域内去除背面N型硅，步骤3)的激光掺杂图形与步骤4)的激光开槽图形相互错位设置；

5)P型硅片正面和背面沉积有正面钝化层和背面钝化层；

6)P型硅片背面激光开槽，步骤6)激光开槽图形与步骤4)激光开槽图形位置相同，开槽宽度小于步骤4)中的开槽宽度，去除激光开槽区域内的背面钝化层；

7)P型硅片的背面印刷铝浆和银浆，铝浆印刷对准激光开槽区域，银浆对准激光掺杂区域，烧结。

7.根据权利要求6所述的新型晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤4)中用氢氟酸去除P型硅片正面和背面的正面磷硅玻璃和背面磷硅玻璃，激光开槽图形为栅线。

8.根据权利要求6所述的新型晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤5)中P型硅片正面和背面均热氧化，形成氧化硅层，在氧化硅层正面和背面沉积氮化硅，形成正面钝化层和背面钝化层，所述正面钝化层和所述背面钝化层为氧化硅和氮化硅叠层。

9.根据权利要求6所述的新型晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤7)中P型硅片背面印刷铝浆和银浆，铝栅线对准步骤6)的激光开槽区域，银栅线对准步骤3)的激光掺杂区域，烧结后，铝浆和P型硅片的界面处形成P型硅，银浆烧穿过背面钝化层并与第一背面N型硅接触。

10.根据权利要求6所述的新型晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤7)中P型硅片背面印刷铝浆和银浆图形均为栅线。