[发明专利]监视和存储块的导通单元计数的存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

非易失性存储器，包括多个块；

缓冲存储器；以及

控制器，被配置为将导通单元计数存储在所述缓冲存储器中，所述导通单元计数指示连接到所述多个块中的每个块的参考字线的存储器单元之中的由施加到所述参考字线的读取电平导通的存储器单元的数量。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，由所述读取电平导通的所述存储器单元具有低于所述读取电平的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制器被配置为在没有主机的请求的情况下将所述导通单元计数存储在所述缓冲存储器中。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

所述控制器还被配置为将用于获取所述导通单元计数的第一命令和与主机的请求对应的第二命令传输到所述非易失性存储器，以及

所述非易失性存储器响应于所述第一命令输出第一读取数据的第一时延短于所述非易失性存储器响应于所述第二命令输出第二读取数据的第二时延。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

多条字线布置在所述多个块中的每个块中，

根据所述多条字线之间的基于矢量的相似度之和，将所述多条字线中的一条字线选择为所述参考字线，以及

所述多条字线中的被选择为所述参考字线的所述一条字线与所述多条字线之中的剩余字线之间的基于矢量的相似度之和是所述多条字线之间的所述基于矢量的相似度之和中的最大值。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

所述多个块包括第一块和第二块，以及

所述第一块的第一参考字线的第一位置与所述第二块的第二参考字线的第二位置相同。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述读取电平在所述存储器单元的阈值电压电平的范围内。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

所述读取电平是第一读取电平，并且所述导通单元计数是第一导通单元计数，以及

所述控制器还被配置为将第二导通单元计数存储在所述缓冲存储器中，所述第二导通单元计数指示连接到所述参考字线的所述存储器单元之中的由施加到所述参考字线的第二读取电平导通的存储器单元的数量，所述第二读取电平与所述第一读取电平不同。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，

用于获取所述第一导通单元计数的所述第一读取电平根据与多个读取电平之中的较低读取电平的相关性来确定，所述多个读取电平用于确定连接到所述参考字线的所述存储器单元的数据，以及

用于获取所述第二导通单元计数的所述第二读取电平根据与所述多个读取电平之中的较高读取电平的相关性来确定。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个块中的每个块对应于所述控制器擦除所述非易失性存储器的存储器单元的数据的单位。

11.一种存储装置，所述存储装置包括：

非易失性存储器，包括多个块；

缓冲存储器；以及

控制器，被配置为，

通过将读取电平施加到所述多个块中的每个块的参考字线来周期性地读取连接到所述参考字线的存储器单元；以及

周期性地更新所述缓冲存储器中的导通单元计数，所述导通单元计数指示连接到所述参考字线的所述存储器单元之中的通过将所述读取电平施加到所述参考字线而导通的存储器单元的数量。

12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，所述控制器还被配置为将新导通单元计数与存储在所述缓冲存储器中的所述导通单元计数进行比较，所述新导通单元计数指示连接到所述参考字线的所述存储器单元之中的，在所述导通单元计数被存储在所述缓冲存储器中之后，通过将所述读取电平施加到所述参考字线而导通的存储器单元的数量。