[发明专利]制造和维护光掩摸的方法在审
| 申请号： | 201910922314.X | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110967925A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 杨淳复;许倍诚;连大成;李信昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/82 | 分类号： | G03F1/82;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 维护 光掩摸 方法 | ||
1.一种制造和维护光掩模的方法，包括：
将涂覆光致抗蚀剂的衬底曝光于从反射光掩模反射的辐射，或者在光刻操作中在不使用所述反射光掩模的情况下将所述反射光掩模存储一段时间；
其中，在所述曝光或所述存储期间，所述反射光掩模的表面上形成污染物；
在使用所述反射光掩模来曝光所述涂覆光致抗蚀剂的衬底之后或者在所述一段时间之后，将其表面上具有污染物的所述反射光掩模放置在等离子体处理腔室中；以及
在所述等离子体处理腔室中对具有所述污染物的所述反射光掩模进行等离子体处理以从所述表面移除所述污染物；
其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述等离子体处理期间，所述等离子体处理腔室保持在1毫托至5毫托的压力下。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述污染物被设置在所述反射光掩模的吸收层中的图案上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，氧以10sccm至100sccm的流速被供应到所述等离子体处理腔室。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：以20sccm至100sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氯。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：以10sccm至50sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氮。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，氢以20sccm至100sccm的流速被供应到所述等离子体处理腔室。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：以60sccm至300sccm的流速向所述等离子体处理腔室供应氦或氩。
9.一种制造和维护光掩模的方法，包括：
形成光掩模；
在光刻工艺中使用所述光掩模以在衬底上形成光致抗蚀剂图案；以及
在光刻工艺中使用所述光掩模之后，在等离子体处理腔室中对所述光掩模进行等离子体处理，以从所述光掩模的表面移除污染物；
其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。
10.一种制造和维护光掩模的方法，包括：
形成光掩模；
将所述光掩模存储在光掩模盒中；以及
在将所述光掩模存储在所述光掩模盒中之后，在等离子体处理腔室中对所述光掩模进行等离子体处理，以从所述光掩模的表面移除污染物，
其中，所述等离子体包括氧等离子体或氢等离子体。
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