[发明专利]一种低温漂带隙基准电压源电路

权利要求书

1.一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，包括电压输出电路、电压信号产生电路、及斩波放大器；其中：

所述电压输出电路与所述电压信号产生电路电连接，为所述电压信号产生电路提供工作电压，所述电压信号产生电路为所述斩波放大器提供高频的差分信号；所述斩波放大器将所述高频的差分信号及所述斩波放大器的失配电压放大后进行斩波调制处理，去除所述失配电压，为所述电压输出电路提供稳定的增益，以使所述电压输出电路输出带隙基准电压。

2.根据权利要求1所述的一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电压信号产生电路包括调制开关单元、第一电阻电路、第二电阻电路、三极管Q5及三极管Q6；所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接，且所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接的第一公共端点与所述三极管Q5的发射极电连接，所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接的第二公共端点与所述三极管Q6的发射极电连接，所述三极管Q5的基极及其集电极电连接至地；所述三极管Q6的基极及其集电极电连接至地；所述第一电阻电路与所述调制开关单元的一个开关电连接，所述第二电阻电路与所述调制开关单元的另一开关电连接。

3.根据权利要求2所述的一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第一电阻电路包括电阻R2、R7、R4；所述第二电阻电路包括电阻R1、R6、R5；所述电阻R2的第一端与所述电阻R1的第一端电连接，并将其电连接的端点作为所述第一电阻电路与所述第二电阻电路电连接的第一公共端点；所述电阻R2的第二端与所述电阻R7的第一端电连接，所述电阻R7的第二端与所述电阻R4的第一端电连接；所述电阻R4的第二端与所述电阻R5的第二端电连接，并将其电连接的端点作为所述第一电阻与所述第二电阻电路电连接的第二公共端点；所述电阻R1的第二端与所述电阻R6的第一端电连接，所述电阻R6的第二端与所述电阻R5的第一端电连接；所述电阻R2的第二端与所述调制开关单元的开关S5的第二端电连接，所述电阻R6的第二端与所述调制开关单元的开关S6的第二端电连接；所述开关S5的第一端与所述开关S6的第一端电连接后与所述电压输出电路的输出端电连接；所述电阻R1的第二端与所述斩波放大器的第二输入端电连接，所述电阻R7的第二端与所述斩波放大器的第一输入端电连接；且：R1＝R4；R7＝R6；R2＝R5；R7＝N*R2；所述三极管Q5与所述三极管Q6的发射极面积比为1:1。

4.根据权利要求1所述的一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电压输出电路包括：NMOS管M1、及电阻R3；所述NMOS管M1的栅极与所述斩波放大器的输出端电连接，所述NMOS管M1的漏极与外接电源电连接，所述NMOS管M1的源极与所述电阻R3电连接，且所述NMOS管M1的源极作为所述低温漂带隙基准电压源电路的输出端，输出带隙基准电压。

5.根据权利要求1所述的一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电压输出电路包括：PMOS管M2、及电阻R3；所述PMOS管M2的栅极与所述斩波放大器的输出端电连接，所述PMOS管M2的源极与外接电源电连接，所述PMOS管M2的漏极与所述电阻R3电连接，且所述PMOS管的漏极作为所低温漂带隙基准电压源电路的输出端，输出带隙基准电压。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述斩波放大器包括：依次电连接的差分放大器U1、斩波解调开关A1、低通滤波器LPF1；其中：

所述电压信号产生电路输出调制到高频的差分信号Vin与所述差分放大器U1的失配电压叠加后作为所述差分放大器U1的输入，所述差分发放大器U1将所述高频的差分信号Vin和失配电压进行放大，再通过所述斩波解调开关A1将高频的、放大后的输入信号调制到低频，将所述放大后的失配电压调制到高频，再通过所述低通滤波器LPF1将所述调制后的高频的失配电压过滤，获得不包含失配电压的输出电压。

7.根据权利要求6所述的一种低温漂带隙基准电压源电路，其特征在于，所述斩波放大器还包括另一放大器U2，所述放大器U2的输入端与所述低通滤波器LPF1的输出端电连接，所述放大器U2的输出端作为所述斩波放大器的输出端。