[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；等离子体发生部，在腔室的内部发生等离子体；气体供给部，向腔室的内部供给气体；放置部，位于发生等离子体的区域的下方，放置处理物；减压部，位于放置部的下方，对腔室的内部进行减压；及支撑部，在腔室的内部空间中支撑放置部。支撑部具有：安装部，位于放置部的下方，设置放置部；及梁，在腔室的内部从腔室的侧面朝着腔室的中心轴延伸，一端连接于安装部的侧面，在内部具有连接于腔室的外部空间的空间。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在用于干刻、化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))、物理汽相沉积(PVD(Physical Vapor Deposition))等的等离子体处理装置中，要求提高等离子体处理性能。因此，在对腔室的内部进行排气时，优选以有效排气速度较大且未发生偏离的轴对称的方式进行排气。

另外，如果进行等离子体处理时产生的副产物残留于腔室的内部，则等离子体处理性能会发生变动。因此，需要进行定期地清洗腔室的内部或者更换附着有副产物的零件的维护。此时，如果将放置处理物的放置部固定于腔室的底面，则难以将放置部取出到腔室的外部，难以维护等离子体处理装置。

于是，提出了如下等离子体处理装置，梁从腔室的侧面向腔室的内部突出，具备：在梁的顶端侧设置有放置部的单支撑结构的模块；及设置在放置部的正下方的涡轮分子泵(例如，参照专利文献1)。

这样，由于能够在腔室的内部空间中设置放置部，因此能够将减压部配置在放置部的正下方。如果减压部配置在放置部的正下方，则容易以有效排气速度较大且未发生偏离的轴对称的方式进行排气。另外，如果做成这样的结构，则能够将放置部从腔室的侧面侧取出到外部。因此，与放置部固定于腔室的底面的情况相比，更容易维护等离子体处理装置。

但是，由于在放置部设置有金属制的电极，因此重量较重。因此，有可能支撑放置部的梁的顶端向下方发生挠曲而放置部发生倾斜。如果平面尺寸较大的放置部发生倾斜，则腔室内的气体流动及等离子体密度趋于不均匀，处理特性有可能不均匀。

此时，如果加大梁的截面尺寸，则有可能有效排气速度降低或者难以进行未发生偏离的轴对称的排气。或者，如果增加梁的数量，则在进行维护时难以从腔室拆下放置部。

于是，希望开发出通过简单的结构能够抑制放置部的倾斜的等离子体处理装置。

专利文献

专利文献1：日本国特表2000-511700号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种等离子体处理装置，其通过简单的结构能够抑制放置部的倾斜。

实施方式所涉及的等离子体处理装置具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；等离子体发生部，在所述腔室的内部发生等离子体；气体供给部，向所述腔室的内部供给气体；放置部，位于发生所述等离子体的区域的下方，放置处理物；减压部，位于所述放置部的下方，对所述腔室的内部进行减压；及支撑部，在所述腔室的内部空间中支撑所述放置部。所述支撑部具有：安装部，位于所述放置部的下方，设置所述放置部；及梁，在所述腔室的内部从所述腔室的侧面朝着所述腔室的中心轴延伸，一端连接于所述安装部的侧面，在内部具有内部空间，所述内部空间连接于所述腔室的外部空间，在所述梁的侧部中，当将所述梁的所述放置部侧的侧部从所述内部空间的上部到所述梁的上表面的厚度作为t1、将所述梁的与所述放置部侧相反一侧的侧部的从所述内部空间的下部到所述梁的下表面的厚度作为t2时，满足以下的式t1＞t2，将所述腔室的外侧壁和所述腔室的中心轴之间的距离作为L，将所述放置部的重量作为W时，满足以下公式：

260mm≤L≤350mm

56kgf≤W≤70kgf

14mm≤t1≤18mm