[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包含其的数字X射线检测器

权利要求书

1.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基底基板；

处在所述基底基板上的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及与所述有源层连接的第一电极和第二电极；

处在所述薄膜晶体管上的第一平坦化层；和

处在所述第一平坦化层上的PIN二极管(P型半导体-本征型半导体-N型半导体二极管)，其中所述PIN二极管包括与所述薄膜晶体管连接的第三电极、在所述第三电极上的PIN层以及在所述PIN层上的第四电极，所述第三电极处于所述PIN层内部，并且无机材料包覆层处于所述第三电极和所述PIN层之间并处在所述第三电极的边缘区域中以包围所述边缘区域。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层具有限定在其中的中空部分。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二电极和所述第三电极通过在所述第一平坦化层中形成的接触孔彼此连接，

其中所述接触孔处在所述PIN二极管内部，且

其中所述包覆层进一步覆盖对应于所述接触孔的所述第三电极的接触孔区域。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，没有所述包覆层的所述第三电极的一部分顶表面被平坦化。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层处在所述PIN二极管内部。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层处在所述PIN二极管内部和外部。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层与相邻PIN二极管的包覆层连接。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层的处在所述PIN二极管外部的部分比所述包覆层的处在所述PIN二极管内的部分薄。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层覆盖所述第三电极的倾斜侧表面。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述包覆层覆盖了所述第三电极的顶表面的从所述第三电极的顶表面的边缘起3μm以上。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，第一保护层处在所述第一平坦化层和所述PIN二极管之间。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，第二平坦化层处在所述第四电极上，其中第五电极处在所述第二平坦化层上，其中所述第五电极通过限定在所述第二平坦化层中的接触孔与所述第四电极连接。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，第二保护层处在所述第二平坦化层和所述PIN二极管之间。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二保护层覆盖所述PIN二极管。

15.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二保护层覆盖所述基底基板的整个表面。

16.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一平坦化层由有机材料制成，且所述第一保护层由无机材料制成。

17.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二平坦化层由有机材料制成，且所述第二保护层由无机材料制成。