[发明专利]一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910922836.X | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110635022A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 谷志强;吴志浩;吴愧;蒋中原;车东晨;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 唐循文 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 超导器件 反应离子刻蚀 传送装置 刻蚀样品 真空状态 离子束刻蚀机 制备技术领域 约瑟夫森结 惰性气体 金属沉积 刻蚀气体 有机物 产能 良率 铌基 送入 | ||
1.一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，所述铌基约瑟夫森结从上到下依次包括掩膜材料、Nb层、AlOx/Al层、Nb层和底层材料，其特征在于，所述铌基约瑟夫森结在加工时处于不中断真空环境的条件，所述刻蚀方法具体步骤如下：
步骤一.真空状态下，将待刻蚀铌基约瑟夫森结样品放入传送装置，传送装置将样品传送至反应离子刻蚀腔；
步骤二.真空状态下向反应离子刻蚀腔内通入刻蚀气体，对待刻蚀样品Nb层进行刻蚀；
步骤三.然后在真空状态下用传送装置将样品传送至离子束刻蚀机，通入惰性气体，刻蚀AlOx/Al层；
步骤四.样品出真空，得到刻蚀后铌基约瑟夫森结超导器件。
2.根据权利要求1所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法还包括原位保护，步骤三中刻蚀AlOx/Al层后，在真空条件下通过传送装置将样品传送至等离子体CVD腔室，进行原位镀膜保护，然后进行步骤四的操作，使样品出真空，得到刻蚀后铌基约瑟夫森结超导器件。
3.根据权利要求1所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述步骤三中刻蚀AlOx/Al层后通过离子束刻蚀机对样品表面及台阶侧壁进行修饰以去除沉积物。
4.根据权利要求3所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述步骤三中刻蚀AlOx/Al层后通过调节离子束刻蚀机能量为50-300 eV、倾角为60-80°对样品表面及台阶侧壁进行修饰以去除沉积物。
5.根据权利要求3所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述步骤三中通过调节离子束刻蚀机能量为50-300 eV、倾角为60-80°刻透AlOx/Al层，并对样品表面及台阶侧壁进行修饰以去除沉积物。
6.根据权利要求1所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜材料为硬掩膜或光刻胶掩膜。
7.根据权利要求1所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述步骤二中刻蚀气体为氟基气体。
8.根据权利要求1所述的一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，其特征在于，所述步骤三中惰性气体为Ar、He或Ne。
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