[发明专利]一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法在审
| 申请号： | 201910922844.4 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110646473A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王丽娟;孙强;朱阳阳;谢强;王璐 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;H01L51/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体敏感层 绝缘层 叉指电极 降低器件 纳米粒子 传感器 蒸镀 修饰 二氧化硅绝缘层 无机纳米粒子 真空蒸镀技术 传感器制备 聚合物混合 绝缘层气体 气体传感器 工作电压 介电常数 响应能力 制备工艺 复合材料 聚合物 硅衬底 灵敏度 相容性 改性 功耗 旋涂 制备 薄膜 | ||
1.一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法，其特征在于：器件结构包括硅衬底（1），二氧化硅绝缘层（2），PVP/TiO2复合材料绝缘层（3），P3HT气体敏感层（4）以及用于检测器件性能变化的Ag叉指电极（5），PVP/TiO2复合材料绝缘层（3）和P3HT气体敏感层（4）均通过简单的旋涂工艺制备，Ag叉指电极（5）通过真空蒸镀技术得到。
2.权利要求1所述的一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法，其特征在于：PVP/TiO2复合材料绝缘层（3）为TiO2纳米粒子修饰的PVP聚合物（6）的复合材料，且TiO2纳米粒子经过吡啶修饰以增加与PVP聚合物（6）的相容性，PVP聚合物（6）与吡啶修饰的TiO2纳米粒子（7）的质量比为1%-3%；PVP/TiO2复合材料绝缘层制备过程中，PVP/TiO2的复合材料溶于乙醇溶剂中，溶液浓度为5-30 mg/ml，PVP/TiO2复合材料溶液在2000-3000 rmp条件下旋涂到清洗干净的硅片上，旋转1-2 min成膜，随后将器件放在退火装置上在140-160℃条件下退火2-3 h，形成PVP/TiO2复合材料绝缘层（3）薄膜。
3.权利要求1所述的一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法，其特征在于：P3HT气体敏感层（4）为在PVP/TiO2复合材料绝缘层（5）上旋涂氯苯溶解的P3HT溶液，溶液浓度为5-30 mg/ml，之后在100-120℃条件下下退火20-30 min。
4.权利要求1所述的一种无机纳米粒子修饰PVP绝缘层气体传感器制备方法，其特征在于：在8×10-4 Pa的真空条件下用掩模板在P3HT气体敏感层（4）上蒸镀Ag叉指电极（5）为200-300 nm。
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