[发明专利]一种3D NAND及其制作方法

权利要求书

1.一种3D NAND，其特征在于，包括：

第一半导体衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；

贯穿所述第一半导体衬底的绝缘环；

位于所述绝缘环包围的第一半导体衬底内，且贯通所述第一半导体衬底的多个通孔；

位于所述通孔的内壁上的介质层以及填充所述通孔的导电层；

位于所述第一半导体衬底的第一表面背离第二表面一侧的金属层，所述金属层包括相互绝缘的第一金属部和第二金属部；

电连接所述第一半导体衬底和所述第一金属部的第一接触部；

电连接所述导电层和所述第二金属部的第二接触部；

所述第一金属部为第一极板，所述第二金属部为第二极板。

2.根据权利要求1所述的3D NAND，其特征在于，所述第一金属部和所述第二金属部为位于同一层的金属层。

3.根据权利要求2所述的3D NAND，其特征在于，所述第一金属部和第二金属部均为梳状结构。

4.根据权利要求3所述的3D NAND，其特征在于，所述第一金属部的梳齿和所述第二金属部的梳齿相互交叉设置。

5.根据权利要求1所述的3D NAND，其特征在于，所述金属层包括相互绝缘且层叠设置的多层金属层。

6.根据权利要求5所述的3D NAND，其特征在于，多层金属层在所述第一半导体衬底上的投影重叠。

7.根据权利要求6所述的3D NAND，其特征在于，相邻金属层中在所述第一半导体衬底上投影重叠的第一金属部之间相互电性连接；相邻金属层中在所述第一半导体衬底上投影重叠的第二金属部之间相互电性连接。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的3D NAND，其特征在于，所述第一半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的第一表面上形成有存储器件，所述绝缘环形成于所述第二区域。

9.根据权利要求8所述的3D NAND，其特征在于，所述存储器件包括所述第一表面上的栅极层与绝缘层交替层叠的堆叠层、穿过所述堆叠层的存储单元串以及存储单元串之上的介质层中的存储单元互联结构，所述存储单元串包括穿过所述堆叠层的沟道孔以及所述沟道孔侧壁上依次形成的遂穿层、电荷存储层、阻挡层以及沟道层。

10.根据权利要求9所述的3D NAND，其特征在于，还包括第二半导体衬底，所述第二半导体衬底上形成有MOS器件以及MOS器件的互联结构；

所述第一半导体衬底的第一表面朝向所述第二半导体衬底的MOS器件的互联结构，且所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底固定；

所述存储单元互联结构和所述第一引出结构分别与所述MOS器件的互联结构电连接。

11.一种3D NAND制作方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述第一半导体衬底的第一表面背离第二表面的一侧制作形成金属层，所述金属层包括相互绝缘的第一金属部和第二金属部，且所述第一金属部与所述第一半导体衬底之间电性连接；

对所述第一半导体衬底的第二表面进行减薄；

从所述第二表面形成贯通所述第一半导体衬底的绝缘环；

在所述绝缘环包围的第一半导体衬底上与所述第二金属部对应的区域形成贯通所述第一半导体衬底的通孔；

在所述通孔的内壁上形成介质层；

采用导电材料填充所述通孔，形成导电层，所述导电层与所述第二金属部电性连接。