[发明专利]一种刻蚀装置及刻蚀方法有效
申请号: | 201910924228.2 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110581095B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 张永奎;朱慧珑;卢维尔;夏洋;李琳;郭晓龙;尹晓艮;文庆涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 方法 | ||
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:
氧化修饰单元,所述氧化修饰单元包括:第一腔室,设置在所述第一腔室内的第一监控组件,以及由所述第一监控组件进行监控的第一供给组件,所述第一供给组件与所述第一腔室连通;所述氧化修饰单元用于对晶片进行氧化处理;
刻蚀单元,所述刻蚀单元包括:第二腔室,设置在所述第二腔室内的第二监控组件,以及由所述第二监控组件进行监控的第二供给组件,所述第二供给组件与所述第二腔室连通;用于将经所述氧化修饰单元氧化后的所述晶片进行刻蚀处理;
清洁单元,所述清洁单元包括:第三腔室,设置在所述第三腔室内的第三监控单元,以及由所述第三监控单元进行监测的第三供给组件,第三供给组件与所述第三腔室连通;用于在经所述氧化修饰单元和/或所述刻蚀单元处理前,对所述晶片进行清洁处理;
传输单元,所述传输单元用于将所述晶片在所述第一腔室、第二腔室和第三腔室之间进行转移;
控制单元,所述控制单元分别与所述第一监控组件、第二监控组件、第三监控组件和传输单元连接,用于控制所述第一监控组件、第二监控组件和第三监控组件的工作状态,以及控制所述传输单元转移所述晶片;
其中,所述第三供给组件包括:清洁液储罐,所述清洁液储罐与所述第三腔室的入口连通,用于向所述第三腔室内添加清洁液;
杂质去除件,所述杂质去除件内承装有过滤筛和净化剂,所述杂质去除件的入口与所述第三腔室的出口连通,用于对所述第三腔室内的清洁液进行过滤和净化处理;
第二泵,所述第二泵的入口与所述杂质去除件的出口连通,所述第二泵的入口与所述第三腔室的入口连通,用于循环所述第三腔室和杂质去除件内的清洁液。
2.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述清洁单元还包括旋转组件,所述旋转组件包括旋转盘,一端与所述旋转盘底部连接的连接杆,以及与所述连接杆另一端连接的旋转电机,用于在清洁处理后将所述晶片甩干。
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一供给组件包括氧化液储罐,以及与所述氧化液储罐出口连通的第一泵;所述第一泵的出口与所述第一腔室的入口连通,用于向所述第一腔室内添加氧化液。
4.根据权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一监控组件包括:
第一液位监控件,所述第一液位监控件设置在所述第一腔室上部,并与所述第一泵连接;用于监测和调控所述第一腔室内的氧化液体积;
第一浓度监控件,所述第一浓度监控件设置在所述第一腔室内部,并与所述第一泵连接;用于监测和调控所述第一腔室内的氧化液浓度;
以及第一温度监控件,所述第一温度监控件包括第一温度检测件,以及和所述第一温度检测件连接的第一温度调控件,所述第一温度检测件设置在所述第一腔室内部;用于监测和调控所述第一腔室内的氧化液温度。
5.根据权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一监控单元还包括厚度检测件,所述厚度检测件与所述控制单元连接,用于在线检测所述晶片上面膜层厚度,并向控制单元发送厚度信息。
6.根据权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述氧化修饰单元还包括第一超声震动件,所述第一超声震动件设置在所述第一腔室底部,用于搅拌氧化液。
7.根据权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一泵与所述第一腔室之间设置有第一阀门。
8.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第三监控单元包括:
第二液位监控件,所述第二液位监控件设置在所述第三腔室上部,并与所述清洁液储罐连接;用于监测和调控所述第三腔室内的清洁液体积;
第二浓度监控件,所述第二浓度监控件设置在所述第三腔室内部,并与所述第二泵连接;用于监测和调控所述第三腔室内的清洁液浓度。
9.根据权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第二供给组件包括:刻蚀液储罐,以及与所述刻蚀液储罐出口连通的第三泵,所述第三泵的出口与所述第二腔室的进口连通;用于向所述第二腔室内添加刻蚀液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造