[发明专利]一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法

权利要求书

1.一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

101)芯片载板制作步骤：通过光刻，刻蚀工艺在芯片载板的下表面制作凹槽，在芯片载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，通过光刻，电镀工艺在种子层上制作键合金属形成焊盘； 对芯片载板上表面进行减薄，减薄厚度在10um到700um之间；芯片载板的上表面制作芯 片槽，通过焊接工艺把射频芯片焊接在芯片槽内，并由焊锡或导热胶填充满射频芯片跟芯片槽的间隙区域；通过光刻，电镀工艺在芯片载板上表面制作RDL；

102)转接板制作步骤：转接板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；种子层上制作RDL；通过光刻，刻蚀工艺在转接板上表面与芯片载板的下表面凹槽对应位置处制作TSV孔； 通过光刻、干法或者湿法刻蚀工艺在转接板上表面与芯片槽对应的位置制作散热沟槽，散 热沟槽深度范围在10um到700um之间；

103)键合步骤：将芯片载板下表面与转接板上表面进行焊接，转接板的下表面进行减薄，并露出TSV孔底部；通过光刻，电镀工艺在转接板下表面制作连接焊盘；切割焊接键合的模组得到单一的射频模组，把射频模组安装到相应PCB板上，散热沟槽通入可循环散热液体，得到具有三维散热能力的射频模组PCB板。

2. 根据权利要求1所述的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，其特征在于：RDL包括走线布局和键合焊盘；RDL材料采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种混合，RDL本身结构为一层或多层结构，其厚度范围为10nm到1000um之间；焊盘的直径范围为10um到10000um之间。

3. 根据权利要求1所述的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，其特征在于：凹槽宽度范围在1um到10000um，深度在10um到1000um；绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；种子层厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合；焊盘高度范围在10nm到1000um，采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种混合，本身结构为一层或多层。

4. 根据权利要求1所述的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，其特征在于：芯片载板采用4、6、8、12寸中的一种尺寸，厚度范围为200um到2000um之间，材质采用硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的一种。

5. 根据权利要求1所述的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，其特征在于：芯片槽采用正方形，深度范围在10um到700um，边长的长度范围在100um到10mm之间。