[发明专利]用于设计半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201910924586.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110968980A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡伟毅;赵志明;蔡荣洲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 设计 半导体 元件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于设计一半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：
分析一初始半导体设计布局以识别一第一互连层图案的一第一区段与一第二区段之间的一第一开放空间，该第一开放空间具有超过一端到端间隔限制的一开放空间长度；
选择一第一虚设图案用于安置在该第一开放空间中，该第一虚设图案具有一虚设图案长度，该虚设图案长度产生一减小的开放空间长度，该减小的开放空间长度处于该端到端间隔限制内；以及
通过将该第一虚设图案并入该第一互连层图案中来产生一经改良的半导体设计布局。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910924586.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路
- 下一篇：相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统
