[发明专利]相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统

权利要求书

1.一种用于相变记忆装置的方法，其特征在于，该方法包括：

施加一脉冲序列至该相变记忆装置，其中该脉冲序列的每一复数个脉冲包括一脉冲编号、一振幅、一前缘、一脉冲宽度与一后缘，该后缘的持续时间比该前缘的持续时间还要长；以及

改变该相变记忆装置的一电导值，以回应施加该脉冲序列的操作，其中该脉冲序列中依序的该复数个脉冲各自的振幅、脉冲宽度或后缘持续时间的值随着各自的脉冲编号的增加而增加。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中施加该脉冲序列至该相变记忆装置的操作包括施加该脉冲序列至该相变记忆装置的一材料层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中施加该脉冲序列的操作包括施加每一该些脉冲，其对应的该后缘的持续时间对应至该材料层的一结晶温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中改变该相变记忆装置的该电导值的操作包括降低该相变记忆装置的该电导值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中增加该振幅、该脉冲宽度或该后缘持续时间的操作包括随着该脉冲编号线性地增加该振幅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中增加该振幅、该脉冲宽度或该后缘持续时间的操作包括随着该脉冲编号线性地增加该脉冲宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中增加该振幅、该脉冲宽度或该后缘持续时间的操作包括随着该脉冲编号线性地增加该后缘的持续时间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中改变该相变记忆装置的该电导值的操作包括降低一材料层的一结晶相与该材料层的一非晶相之间的一比例的一数值。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中改变该相变记忆装置的该电导值的操作包括改变一类突触的一权重。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在该脉冲序列的每一该些脉冲之后实施一读取操作。

11.一种相变记忆电路，其特征在于，包括：

一脉冲产生电路，用以输出一脉冲序列，其中该脉冲序列的每一复数个脉冲包括：

一脉冲编号；

一振幅、一脉冲宽度和一后缘的持续时间其中的至少一者，其值随着该脉冲编号的增加而增加；以及

该后缘的持续时间比该脉冲的前缘的持续时间还要长；以及

一相变记忆装置，用以回应于该脉冲序列以从具有一第一电导值的一第一晶相配置重置至具有第二电导值的一第二晶相配置。

12.根据权利要求11所述的相变记忆电路，其特征在于，其中

该相变记忆装置包括一相变记忆材料，

该第一电导值是对应至该相变记忆材料的一结晶相对该相变记忆材料的一非晶相的一比例的一第一数值，以及

该第二电导值是对应至该比例的一第二数值，该第二数值小于该第一数值。

13.根据权利要求12所述的相变记忆电路，其特征在于，其中该相变记忆材料包括一化合物，该化合物包括锗、锑和碲其中二者或二者以上。

14.根据权利要求11所述的相变记忆电路，其特征在于，其中该相变记忆装置包括一突触阵列的一第一类突触。

15.根据权利要求14所述的相变记忆电路，其特征在于，其中该脉冲产生电路包括该突触阵列的一第二类突触。

16.根据权利要求11所述的相变记忆电路，其特征在于，其中该相变记忆装置包括第一电极与第二电极，用以接收该脉冲序列，其中该第一电极与该第二电极具有一支柱或蘑菇布置。