[发明专利]清洗微影工具的方法

说明书

一种用于清洗微影工具的遮罩，包括遮罩基材以及遮罩基材上的涂层。涂层配置以捕捉来自微影工具的微粒污染物质。还提供了一种清洗微影工具的方法，包括制备清洗遮罩，清洗遮罩包含形成于基材上的粒子捕捉层。此方法包括经由微影工具的遮罩转移路径，转移清洗遮罩。更进一步地，此方法还包括分析由粒子捕捉层捕捉的粒子。

技术领域

本揭露涉及清洗微影工具的方法，且特别是指运用清洗遮罩的清洗微影工具的方法。

背景技术

在超紫外线(extreme ultraviolet；EUV)光微影中，污染物质会非预期地遮蔽部分遮罩图案，降低微影的产量。因此，在微影中，需维持遮罩经过的位置及路径(例如工具夹持器、腔室、遮罩支架等)的清洁。值得一提地，生产高品质的微电子设备和减少产量损失的能力，取决于维持重要元件的表面实质上无缺陷。维持重要元件的表面实质上无缺陷包括维持表面不含微粒物质，例如维持超洁净表面，确保微粒物质不会沉积在晶圆、光罩(reticle)或遮罩(mask)、或其他重要元件的表面上。由于微电子设备的构造更为精细，尤其需特别注意。微粒物质的类型可以是任意组合，取决于环境以及真空的条件。微粒物质可源自遮罩制备过程中的蚀刻副产物、有机烃污染物、任何种类的落尘、钢的逸气等。

光微影设备的清洗，仰赖于真空的使用以及异丙醇酒精/乙醇的擦拭，并由颗粒计数器监测及验证清洁度。然而，这种手动清洁方法未必优于真空腔体。此外，精细或微小的元件也不适用于擦拭和/或真空的清洁。另外，这些方法并未特别针对遮罩经过或可能被污染的位置和路径。因此，需要替代方法以维持遮罩经过的位置和路径的清洁度。

发明内容

本揭露的一种实施方式提供一种清洗微影工具的方法，包括制备清洗遮罩；以及经由微影工具的遮罩转移路径，转移清洗遮罩，其中清洗遮罩包括粒子捕捉层，粒子捕捉层形成于基材上。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1为根据本揭露所描述的一些实施方式，绘示半导体晶圆处理系统的示意图；

图2A以及图2B为根据本揭露所描述的一些实施方式，绘示遮罩基底的横截面示意图；

图3A以及图3B为根据本揭露所描述的一实施方式，绘示遮罩基底；

图4A为根据本揭露所描述的一些实施方式，绘示清洗微影工具的方法的流程图；

图4B为根据本揭露所描述的其他实施方式，绘示清洗微影工具的方法的流程图；

图5为根据本揭露所描述的一些实施方式，绘示可替换的遮罩基底的横截面示意图；

图6A、图6B、图6C以及图6D为根据本揭露所描述的一些实施方式，绘示遮罩基底的不同表面纹理。

【符号说明】

5 半导体晶圆

10 处理装置

11 高亮度光源

12 发光器

13 遮罩台

14 遮罩

15 光学投影模组

16 基材台

17 晶圆转移构件

20 负载锁定腔室

21 晶圆台

22 外门

23 内门