[发明专利]半导体激光器阵列的封装结构在审
| 申请号： | 201910924888.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110518453A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 闫立华;李德震;徐会武 | 申请（专利权）人： | 石家庄麦特达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 祁静<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硬焊料 芯片 次热 半导体激光器阵列 封装结构 外侧面 累加 半导体激光器芯片 金属化区域 散热效果 物理隔离 芯片单元 有效散热 扩展性 多芯片 非对称 高反面 底面 贴装 封装 连通 | ||
1.半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，包括：
芯片，板面沿上下方向设置且平行排布有若干个；
第一硬焊料，设置于所述芯片的N面；
第二硬焊料，设置于所述芯片的P面且外侧面至所述芯片的P面的距离大于所述第一硬焊料外侧面至所述芯片的N面的距离，相邻两个所述芯片之间的所述第一硬焊料和所述第二硬焊料之间设有第一间隙；以及
次热沉，位于所述芯片的上方，且所述次热沉底面上设有用于连通所述第一硬焊料和所述第二硬焊料的第一金属化区域，所述次热沉的底面与所述芯片的高反面之间设有第二间隙。
2.如权利要求1所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，相邻两个所述第一金属化区域之间形成位于所述芯片上方的非金属化区域。
3.如权利要求1所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述次热沉的底面上设有开口向下且与所述芯片上下对应的隔离槽。
4.如权利要求3所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述隔离槽的宽度大于所述芯片的宽度且所述隔离槽的水平投影的面积大于所述芯片的水平投影的面积。
5.如权利要求1所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述芯片的出光面、所述第一硬焊料的底面以及所述第二硬焊料的底面齐平。
6.如权利要求1-5任一项所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述次热沉为氮化铝陶瓷次热沉或氧化硼热沉。
7.如权利要求1-5任一项所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述次热沉的上方还设有铜基座。
8.如权利要求7所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述次热沉的顶面上设有与所述铜基座相连的第二金属化区域。
9.如权利要求7所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述次热沉与所述铜基座之间还设有和散热体，所述散热体为半导体制冷片、金属散热体或通水散热体中的一种。
10.如权利要求1-5任一项所述的半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，所述第一硬焊料与所述第二硬焊料为钨铜热沉、钼铜热沉、石墨热沉或导热率高且表面全部金属化的金刚石热沉中的一种。
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