[发明专利]一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法有效
申请号: | 201910925306.0 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110527973B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;赵继文;舒国阳;韩杰才 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/50 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 固态 掺杂 制备 金刚石 方法 | ||
1.一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法,其特征在于它是按以下步骤进行的:
一、掺杂源的制备:
将石墨粉和硼源研磨并混合,得到混合粉体,然后将混合粉体放入压片机中,压成圆片,得到固态掺杂源;
所述的硼源中硼元素与石墨粉中碳元素的原子比为0.01:1;
所述的硼源为硼粉;
二、掺硼金刚石薄膜的制备:
将衬底及多个固态掺杂源置于微波等离子化学气相沉积装置的样品台上,且多个固态掺杂源均布设置于衬底外围,通入氢气与其他气体的混合气体,然后在氢气流速为150sccm~300sccm、衬底温度为730℃~1100℃、固态掺杂源温度为840℃~1200℃、压强为155mbar~500mbar及微波功率为2900W~6000W的条件下,沉积6h~50h,在衬底表面生长掺硼金刚石薄膜,得到表面生长有掺硼金刚石薄膜的衬底,即完成利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法;
所述的其他气体为甲烷和氮气的混合;
步骤一中所述的石墨粉纯度为99.9%;
步骤二中所述的衬底为经过预处理的硅片;所述的经过预处理的硅片为金刚石研磨膏研磨后的硅片或者是将硅片放入质量百分数为1%~10%的含有金刚石粉的悬浊液中,在超声功率为400W~500W的条件下,超声波分散处理30min~120min得到的;
步骤一中所述的圆片直径为10mm~30mm,厚度为1mm~2mm;
步骤二中所述的氮气流速为1sccm~10sccm;
步骤二中所述的甲烷流速为1sccm~40sccm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910925306.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的