[发明专利]一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910925763.X 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110642253B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 贺敏;冯志军 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023;H01M4/38;H01M10/0525
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 黄文亮
地址: 330000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 反应 制备 纳米 还原 方法
【权利要求书】:

1.一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤,

(1)、根据坩埚大小,将二氧化硅、铝粉、氯化钾、无水氯化锂、六氟铝酸三钠按照1.2:1.2:4:3.4:1的质量百分比,在低湿度下对粉末进行均匀搅拌得到混合物1;

(2)、将混合物1加入到有盖的坩埚中,在马弗炉中以20℃/min的升温速率升温到650℃~900℃,保温10h以上;自然冷却到室温后取出得熔块1;

(3)、将熔块1加入到盐酸溶液中,室温下反应,直至无气泡产生;过滤得到固体1;

(4)、将固体1加入到有水的容器中,盖上盖,加热到100~120℃,将熔盐完全溶解;静置后,将上层含盐溶液吸出,将沉淀干燥得固体2;

(5)、将固体2进行研磨,过500目筛网,混入10倍以上固体2质量的焦硫酸钾粉末;放入加盖的瓷坩埚中,以20℃/min的升温速度升温到600℃,保温30分钟;自然冷却后取出,得熔块2;

(6)、将熔块2加入到有水的容器中,盖上盖,加热到100~120℃,将熔盐完全溶解;静置后,将上层含盐溶液吸出,将沉淀干燥得固体3;

(7)、将固体3加入过量的1mol/L的氢氟酸中,反应5~10h,去除剩余的二氧化硅;将上层清液吸出,对沉淀洗涤3次以上,过滤得到单质硅;

(8)、80℃真空干燥步骤(7)中的单质硅得到最终产品。

2.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中为了保证40%以下的低湿度,采取预先烘箱干燥和除湿器除湿的方法。

3.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中进行的均匀搅拌不包含高速或长时间的球磨,以及其他导致铝粉氧化的混料方法。

4.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中实验进行的气氛为空气,无需惰性气体保护,但应当加盖。

5.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中盐酸应当过量并保持1mol/L的浓度。

6.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中边搅拌边反应或适当加热但不超过40℃以加快反应。

7.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)(6)中,采取适当搅拌的措施,加速熔块溶解。

8.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)(6)中,对固体的分离方式采用离心、静置或者过滤。

9.根据权利要求1所述的一种铝热反应制备纳米还原硅的制备方法,其特征在于:所述步骤(7)中,氢氟酸去除二氧化硅的过程中,必须保持室温范围的温度,以防硅单质被反应掉,采取加冰水离心或者是半透膜过滤。

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