[发明专利]光阻组成物及形成光阻图案的方法

说明书

一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括：形成上方层于基板上的光阻层上方，上方层包含漂浮添加物聚合物；选择性曝光光阻层至光化辐射；显影光阻层，以在光阻层中形成图案；以及移除上方层。漂浮添加物聚合物为硅氧烷聚合物。

技术领域

本揭示的实施方式是关于光阻组成物及形成光阻图案的方法。

背景技术

随着消费装置因应于消费者需求而变得越来越小，这些装置的各个组件也必须减小尺寸。构成移动电话、电脑、平板等装置的主要组件的半导体装置亦有必要变得越来越小，在半导体装置内的各个装置(例如晶体管、电阻，电容等)也缩小尺寸。

在半导体装置的制造过程中所使用的一种可行技术是使用光敏材料。将这些材料施加到一个表面上，然后曝光于图案化的能量。这种曝光改变了光敏材料的曝光区域的化学性质及物理性质。这种修饰的情形，连同未曝光的光敏材料区域中缺乏修饰的情形，可以用于移除某个区域而不移除另一个区域。

然而随着各个装置的尺寸减小，用于光刻处理的制程窗口变得更加紧密。因此，光刻处理领域的进步对于保持缩小装置的能力是必要的，并且需要进一步改进以满足理想的设计标准，从而能够发展越来越小的组件。

已持续研发极紫外光刻(Extreme ultraviolet lithography,EUVL)以用于形成更小的半导体装置特征尺寸并增加半导体晶圆上的装置密度。随着装置特征的缩小，光阻图案的深宽比难以保持在2.5以下。为了防止在旋转干燥过程中由毛细管力引起的光阻线塌陷，光阻的厚度应小于50nm。然而，在小于50nm的光阻厚度下，蚀刻硬遮罩层的蚀刻可用量(etch budget)很少。另外，在如此低的光阻厚度和低深宽比下，由于低对比度和显影剂的粘度增加，与浸渍方法相比，底部浮渣(scum)问题变得更严重。此外，干蚀刻去浮渣(de-scum)会进一步降低蚀刻可用量(etch budget)。

发明内容

本揭示的一实施方式提供一种形成光阻图案的方法。方法包含：形成一上方层于一基板上的一光阻层上方，上方层包含一硅氧烷聚合物；选择性曝光光阻层至一光化辐射；显影光阻层，以在光阻层中形成一图案；以及移除上方层。

本揭示的另一实施方式提供一种形成光阻图案的方法。方法包含：设置一漂浮添加物聚合物及一光阻的一混合物于一基板上方；旋转基板，基板具有设置于其上的混合物，其中漂浮添加物聚合物与光阻分离并上升至混合物的一上部以形成一上方层，上方层包含设置于一光阻层上方的漂浮添加物聚合物；选择性曝光光阻层至一光化辐射；显影光阻层，以在光阻层中形成一图案；以及移除上方层，其中漂浮添加物聚合物为一硅氧烷聚合物。

本揭示的再一实施方式提供一种光阻组成物。光阻组成物包含：一光阻材料及一硅氧烷聚合物。硅氧烷聚合物包含选自以下的一或多种单体：

其中R8、R11、R12、R15、及R16为相同或不同，且为任何C2至C20有机基团或任何氟取代的C2至C20有机基团；以及其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R9、R10、R13、及R14为相同或不同，且为H、C1至C6烷基、或氟取代的C1至C6烷基。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭示的一实施方式。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制，仅用于说明目的。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1根据本揭示的多个实施方式绘示一制程流程图；

图2A及图2B根据本揭示的一实施方式绘示顺序操作的制程阶段；

图3A、图3B、图3C及图3D是根据本揭示的一实施方式绘示顺序操作的制程阶段；

图4A及图4B根据本揭示的一些实施方式绘示顺序操作的制程阶段；