[发明专利]光电薄膜器件的特性检测方法

说明书

本申请实施例提供一种光电薄膜器件的特性检测方法，在对待测光电薄膜器件进行制样处理，得到切片样品的基础上，配置导电探针，以及与导电探针连接的开尔文探针力显微镜。利用开尔文探针力显微镜通过导电探针采集切片样品的参数分布数据信息。利用该特性检测方法，可得到数值化的参数分布数据信息，实现更为细微化的检测，提高检测的全面性，为后续待测光电薄膜器件的失效判断提供数据依据。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种光电薄膜器件的特性检测方法。

背景技术

对有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件的寿命产生较大影响的因素主要包括水和氧，例如金属阴极被氧化、阳极的剥离、有机分子受到水和氧的影响被侵蚀、水解氧化等，均会对OLED器件产生不良影响。因此，需要对器件的特性进行检测，以检查器件是否因上述因素而受到损害。

目前，对OLED的特性的检测，一般是采用如聚焦离子束技术(Focused Ion beam，FIB)、透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)、扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)等手段或设备进行观测，但是这类方式一般仅仅观测到器件表面的形貌或状态等，一些无法用肉眼或无法体现在形貌上的特性的变化无法被检测出来。

发明内容

本申请的目的包括，例如，提供了一种光电薄膜器件的特性检测方法，其能够实现更为细微化的检测、提高检测的全面性。

本申请的实施例可以这样实现：

本申请实施例提供一种光电薄膜器件的特性检测方法，所述方法包括：

对待测光电薄膜器件进行制样处理，得到切片样品；

配置导电探针，以及与所述导电探针连接的开尔文探针力显微镜；

利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针采集所述切片样品的参数分布数据信息。

在可选的实施方式中，所述参数分布数据信息包括电势分布数据，所述方法还包括：

检测所述电势分布数据中的各个电势是否存在异常，若存在异常，则根据异常电势的探测点位置确定所述待测光电薄膜器件的异常位置。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

根据所述异常电势的探测点位置以及所述异常电势的数值，确定所述待测光电薄膜器件发生的异常类型。

在可选的实施方式中，所述对待测光电薄膜器件进行制样处理，得到切片样品的步骤，包括：

在待测光电薄膜器件的远离基板的电极层上涂覆树脂填料并固化；

对所述待测光电薄膜器件进行液氮冷却处理；

在真空或惰性气体腔室内，利用离子减薄仪将所述待测光电薄膜器件切片，获得截面切片样品。对于一些对热敏感的材料，受到离子热流易发生性能改变的光电功能层，或者中空中无法及时将热量导出时，液氮冷却处理可能进一步保证器件截面性能的稳定和检测结果的准确性。进一步的还可以用惰性气体对离子减薄后的表面做损伤层的清除处理。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

利用离子枪对电极棒进行加热，在所述待测光电薄膜器件的两个电极上分别沉积以引出电极；

对引出的电极施加电压，并利用所述开尔文探针力显微镜通过所述导电探针采集通电后的切片样品的参数分布数据信息。

在可选的实施方式中，所述方法还包括：

配置与所述导电探针连接的原子力显微镜；