[发明专利]一种全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201910926498.7 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110634965B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 刘治科;赵欢;韩玉;段晨阳;杨少敏;刘生忠 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0264;H01L31/032 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 郭瑶 |
地址: | 710119 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种全无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括从下到上依次堆叠的导电玻璃衬底(1)、电子传输层(2)、无机钙钛矿吸收层(3)、空穴传输层(4)和金属电极(5);所述无机钙钛矿吸收层(3)为掺杂有Ni的CsPbI2Br;
以摩尔数计,无机钙钛矿吸收层(3)中Ni含量为Pb含量的1-3%;
无机钙钛矿吸收层(3)的厚度为400-480nm;
Ni在钙钛矿晶界处富集,一方面Ni元素在缺陷位置生成,使得晶界处的缺陷无法扩散;同时晶界处部分Pb离子被半径更小的Ni离子替代,提高了晶界处CsPbI2Br钙钛矿的容忍因子,相对于未掺杂Ni元素的CsPbI2Br全无机钙钛矿太阳电池,容忍因子更接近于1,使无机钙钛矿薄膜的相稳定性得到了大幅度提升。
2.一种权利要求1所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,清洗并干燥导电玻璃基底,制得导电玻璃衬底(1)备用;
步骤2,在导电玻璃衬底(1)上制备电子传输层(2);
步骤3,在电子传输层(2)上制备无机钙钛矿吸收层(3);所述无机钙钛矿吸收层(3)由钙钛矿前驱液旋涂在电子传输层(2)上后退火制得,钙钛矿前驱液为加入有NiI2的CsPbI2Br溶液;步骤3中,钙钛矿前驱液中,Ni含量为Pb含量的1-3%,溶剂为DMF和DMSO的混合溶液;钙钛矿前驱液中,CsPbI2Br的浓度为0.9mol/L;
步骤4,在无机钙钛矿吸收层(3)上制备空穴传输层(4);
步骤5,在空穴传输层(4)上制备金属电极(5)。
3.根据权利要求2所述的一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,步骤3中,溶剂中,DMF和DMSO的体积比为(4-9):1。
4.根据权利要求2所述的一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤3中,旋涂分为两阶段,第一阶段,旋涂转速为800-1000 rpm,旋涂时间为10-20s;第二阶段,旋涂转速为2500-5000 rpm,旋涂时间为30- 40 s。
5.根据权利要求2所述的一种全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤3中,退火分为三阶段,第一阶段,退火温度为35-55℃,退火时间为4-8min;第二阶段,退火温度为90-120℃,退火时间为8-12min;第三阶段,退火温度为160-170℃,退火时间为5-8min。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤2中,电子传输层(2)的材料为TiO2,电子传输层(2)的制备方法为化学沉积法;步骤4中,空穴传输层(4)为Spiro-OMeTAD空穴传输层或PATT空穴传输层;步骤5中,金属电极为金电极,金电极的厚度为70-100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西师范大学,未经陕西师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910926498.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的