[发明专利]一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池

说明书

本申请公开了一种钝化结构的制作方法，包括：提供一N型制绒硅片；在N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层；形成覆盖隧穿氧化层的本征多晶硅层；在本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除本征多晶硅层中除目标部分之外的部分；去除隧穿氧化层的除被掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分；在N型制绒硅片未覆盖部分进行硼扩散，得到硼扩散层，以便得到钝化结构。本申请可以提升光伏电池的转换效率。本申请同时还提供了一种应用于TopCon太阳能电池的钝化结构、光伏电池，均具有上述有益效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池。

背景技术

随着环境问题的日益加剧，光伏发电技术越来越受到人们的关注。其中晶硅太阳能电池作为性能稳定，市场占有率最高的光伏电池，其技术的更新和发展受到研究人员的广泛关注。

现有的N型光伏电池主要为N-PERT、N-PERL和TopCon等电池结构，在该几种结构下，电池的正表面硼扩散层和正表面金属接触区域复合电流非常大，使光伏电池的转换效率降低。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池，能够提升光伏电池的转换效率。其具体方案如下：

本申请公开了一种钝化结构的制作方法，包括：

提供一N型制绒硅片；

在所述N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层；

形成覆盖所述隧穿氧化层的本征多晶硅层；

在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分；

去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分；

在所述N型制绒硅片未覆盖部分进行硼扩散，得到硼扩散层，以便得到钝化结构。

可选的，所述在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分，包括：

在所述本征多晶硅层的所述目标部分印刷硼浆；

在预设条件下进行退火处理，在所述目标部分形成所述掺硼多晶硅和有机物壳层；

进行刻蚀处理，去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分；

对应的，所述去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分，包括：

进行清洗，去除所述有机物壳层和所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分。

可选的，所述预设条件包括退火管温度和退火时间；

其中，所述退火管温度的范围为850-900℃，包括端点值；

所述退火时间的范围为20-60min，包括端点值。

可选的，所述进行刻蚀处理，去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分，包括：

利用四甲基氢氧化氨刻蚀所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分。

可选的，所述进行清洗，去除所述有机物壳层和所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分，包括：

利用二已二醇丁醚去除所述有机物壳层；

利用氨水和双氧水溶液去除有机残留物；