[发明专利]移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器，配置有上拉节点，其特征在于，包括：

预充复位电路，与第一电源端、第二电源端、信号输入端、复位信号端和所述上拉节点连接，配置为在预充阶段时响应于所述信号输入端的控制将所述第一电源端提供的第一电压写入至所述上拉节点，以及在复位阶段时响应于所述复位信号端的控制将所述第二电源端提供的第二电压写入至所述上拉节点；

上拉控制电路，与第三电源端、第四电源端和所述上拉节点连接，配置为在输出阶段时响应于所述上拉节点的控制将第三电源端提供的第三电压写入至所述上拉节点，以及在保持阶段过程中响应于所述上拉节点处的电压相较于所述第二电压的偏移量达到预定阈值时将所述第四电源端提供的第四电压写入至所述上拉节点；

输出控制电路，与时钟信号端、第四电源端、信号输出端、控制信号端和所述上拉节点连接，配置为在输出阶段时响应于所述上拉节点的控制将所述时钟信号端提供的时钟信号写入至所述信号输出端，以及在复位阶段时响应于所述控制信号端的控制将所述第四电源端提供的第四电压写入至所述信号输出端。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述预充复位电路包括：第一晶体管和第二晶体管，所述输出控制电路包括：第三晶体管、第四晶体管和电容，所述上拉控制电路包括：第五晶体管和第六晶体管；

其中，所述第一晶体管的控制极与所述信号输入端连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一电源端连接，所述第一晶体管的第二极与所述上拉节点连接；

所述第二晶体管的控制极与所述复位信号端连接，所述第二晶体管的第一极与所述上拉节点连接，所述第二晶体管的第二极与所述第二电源端连接；

所述第三晶体管的控制极与所述上拉节点连接，所述第三晶体管的第一极与所述时钟信号端连接，所述第三晶体管的第一极与所述信号输出端连接；

所述第四晶体管的控制极与所述控制信号端连接，所述第四晶体管的第一极与所述信号输出端连接，所述第四晶体管的第二极与所述第四电源端连接；

所述第五晶体管的控制极与所述上拉节点连接，所述第五晶体管的第一极与所述第三电源端连接，所述第五晶体管的第二极与所述上拉节点连接；

所述第六晶体管的控制极与所述上拉节点连接，所述第六晶体管的第一极与所述上拉节点连接，所述第六晶体管的第二极与所述第四电源端连接；

所述电容的第一端与所述上拉节点连接，所述电容的第二端与所述信号输出端连接；

其中，所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管同时为N型晶体管或同时为P型晶体管，且三者的阈值电压满足：

|Vth_{_M3}|＞|Vth_{_M6}|；

以及，|Vth_{_M5}|＞|Vth_{_M6}|；

其中，Vth_{_M3}、Vth_{_M5}和Vth_{_M6}分别为所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的阈值电压；

所述第二晶体管的增益因子大于所述第五晶体管的增益因子，所述第一晶体管的增益因子和所述第五晶体管的增益因子均大于所述第六晶体管的增益因子。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的有源层的材料相同，且四者的有源层中沟道区的宽长比满足：

以及，

其中，和分别为所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的有源层中沟道区的宽长比。

4.根据权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述控制信号端为所述信号输出端；

所述第三晶体管的增益因子大于所述第四晶体管的增益因子。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管的有源层的材料相同，且两者的有源层中沟道区的宽长比满足：

其中，和分别为所述第三晶体管和所述第四晶体管的有源层中沟道区的宽长比。

6.根据权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器中的全部晶体管同时为N型晶体管或同时为P型晶体管。