[发明专利]一种硬盘数据置无效方法与装置

说明书

本发明公开了一种硬盘数据置无效方法与装置，包括：在写入数据所涉及的逻辑单元中建立缓冲池；在写入数据时将数据物理地址的数据置无效操作写入缓冲池；响应于缓冲池已满、或所涉及的数据块的数据置无效操作已经全部写入缓冲池，而根据缓冲池中数据置无效操作所涉及的数据块在内存中修改数据块的属性，并清空缓冲池。本发明能够在硬盘连续写入时降低OBS的内存访问量，提高写入性能。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，更具体地，特别是指一种硬盘数据置无效方法与装置。

背景技术

由于OBS(数据置无效)是以PBA(数据物理地址)为单位的，即每一个PBA的置无效都会触发一次OBS动作，一次OBS动作会产生3次DDR(内存)操作，如果有n个PBA需要置无效，也就需要3*n次DDR操作，在大压力顺序写时，会有大量的数据置无效动作，这样增大了对DDR的访问压力，提高了处理器的使用率，降低了顺序写入性能。

针对现有技术中硬盘连续写入产生大量OBS访问内存影响性能的问题，目前尚无有效的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种硬盘数据置无效方法与装置，能够在硬盘连续写入时降低OBS的内存访问量，提高写入性能。

基于上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种硬盘数据置无效方法，包括响应于向闪存连续写入数据而执行以下步骤：

在写入数据所涉及的逻辑单元中建立缓冲池；

在写入数据时将数据物理地址的数据置无效操作写入缓冲池；

响应于缓冲池已满、或所涉及的数据块的数据置无效操作已经全部写入缓冲池，而根据缓冲池中数据置无效操作所涉及的数据块在内存中修改数据块的属性，并清空缓冲池。

在一些实施方式中，在写入数据所涉及的逻辑单元中建立缓冲池包括：在每个逻辑单元中建立多个各自独立工作的缓冲池；

在写入数据时将数据物理地址的数据置无效操作写入缓冲池包括：将涉及同一数据块的数据置无效操作写入同一缓冲池。

在一些实施方式中，数据块的属性包括vdfbitmap、vdfc、和block info vdfc。

在一些实施方式中，根据缓冲池中数据置无效操作所涉及的数据块在内存中修改数据块的属性包括：确定缓冲池中涉及同一数据块的数据置无效操作的数目，并在内存中将同一数据块的vdfbitmap属性一次性清零，将同一数据块的vdfc和block info vdfc属性分别减去数目。

在一些实施方式中，方法还包括：响应于在闪存中擦除数据块，而在内存中将数据块的vdfbitmap属性置为1，将数据块的vdfc和block info vdfc属性分别置为最大值。

本发明实施例的第二方面提供了一种硬盘数据置无效装置，包括：

闪存，包括多个数据块；

处理器；和

存储器，存储有处理器可运行的程序代码，程序代码在被运行时响应于向闪存连续写入数据而执行以下步骤：

在写入数据所涉及的逻辑单元中建立缓冲池；

在写入数据时将数据物理地址的数据置无效操作写入缓冲池；

响应于缓冲池已满、或所涉及的数据块的数据置无效操作已经全部写入缓冲池，而根据缓冲池中数据置无效操作所涉及的数据块在内存中修改数据块的属性，并清空缓冲池。

在一些实施方式中，在写入数据所涉及的逻辑单元中建立缓冲池包括：在每个逻辑单元中建立多个各自独立工作的缓冲池；