[发明专利]金属粉末表面生长石墨烯的方法及石墨烯

权利要求书

1.一种金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将碳源、金属粉末、保护气体均匀分散的喷入化学气相沉积炉内；

所述碳源和金属粉末进入所述化学气相沉积炉的高温区，其中，所述金属粉末在所述化学气相沉积炉的高温区形成金属液滴，所述碳源高温下在所述金属液滴表面催化裂解，生长出石墨烯；

表面生长有石墨烯的金属液滴在所述保护气体的推动以及自身重力的作用下继续下落，进入所述化学气相沉积炉的低温区，凝固成石墨烯包覆的金属粉;

所述金属液滴表面以交错堆积方式生长3层石墨烯;

对上述收集到的粉末进行清洗，将表面的残留液体、不定性碳去除后进行干燥；

将上述收集的粉末放入乙醇中超声分散30min后过滤烘干；

将上述烘干的粉末放置于真空袋中，抽真空封存。

2.根据权利要求1所述的金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述碳源选自甲烷、乙炔、乙醇中的任一种。

3.根据权利要求1所述的金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述金属粉末的粒径为5-100μm。

4.根据权利要求1所述的金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述金属粉末选自铜粉、铜合金粉末、钴粉、钴合金粉末、钛粉、钛合金粉末、镍粉、镍合金粉末中的任一种。

5.根据权利要求1所述的金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述化学气相沉积炉的高温区的温度为1050-1080℃, 所述碳源的流量为2-5Sccm。

6.根据权利要求1所述的金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述保护气体为氢气和/或氩气，所述保护气体为氢气和氩气时，所述氩气的流量为100-300Sccm，所述氢气的流量为20-50Sccm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的金属粉末表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述碳源与所述金属粉末喷入化学气相沉积炉的速度为1-5m/s。

8.一种石墨烯，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法得到。