[发明专利]集成矢量网络分析仪有效
申请号: | 201910926839.0 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110967573B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | K·F·安德森;A·格里切纳 | 申请(专利权)人: | 是德科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R27/28;G01R35/00 |
代理公司: | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 矢量 网络分析 | ||
1.一种测试仪器,包括用于测试被测装置(DUT)的嵌入式矢量网络分析仪(VNA)电路,所述测试仪器包括:
第一接收器,所述第一接收器被配置用于通过第一耦合装置接收入射射频(RF)信号;
第二接收器,所述第二接收器被配置用于通过第二耦合装置接收反射的RF信号;
用于连接至互连的测试端口,其中,所述互连在校准阶段中连接在校准装置与所述测试端口之间,在所述校准阶段期间表征所述互连,并且所述互连在测试阶段中连接在所述DUT与所述测试端口之间,在所述测试阶段期间测试所述DUT的至少一个参数;
RF源,所述RF源被配置用于在所述校准阶段期间生成所述入射RF信号;以及
处理单元,所述处理单元被编程用于至少部分地基于由所述第一接收器接收的所述入射RF信号和由所述第二接收器接收的所反射的RF信号来确定特定于所述互连的互连S参数,且当在所述测试阶段中测试所述DUT的所述至少一个参数时,应用所述互连S参数来补偿由所述互连引入的误差。
2.权利要求1的测试仪器,其中,在所述校准阶段期间,所述第一接收器测量通过所述互连提供给所述校准装置的所述入射RF信号的相位和振幅,并且所述第二接收器测量由所述互连和所述校准装置反射、并通过所述测试端口接收的所反射的RF信号的相位和振幅,并且
其中,所述处理单元进一步被编程用于通过基于所述入射RF信号和所反射的RF信号的所测量相位和振幅确定所述互连的互连S参数来在所述校准阶段期间表征所述互连,并且创建存储所确定的互连S参数和S参数校正项的用户校准文件,所述S参数校正项用于在所述测试阶段期间测量所述互连末端的互连S参数。
3.权利要求1的测试仪器,其中所述测试仪器是包括所述RF源的RF信号发生器,并且其中,所述嵌入式VNA电路包括所述第一接收器和所述第二接收器、以及所述第一耦合装置和所述第二耦合装置并且不包括所述RF源,并且
其中,所述RF信号发生器在所述测试阶段期间通过所述测试端口和所述互连向所述DUT提供激励信号。
4.权利要求1的测试仪器,其中所述测试仪器是频谱分析仪,并且其中,所述嵌入式VNA电路包括所述第一接收器和所述第二接收器、所述第一耦合装置和所述第二耦合装置、所述RF源、以及用于耦合来自所述RF源的所述入射RF信号的第三耦合装置。
5.权利要求1的测试仪器,其中所述测试仪器是包括所述第一接收器和所述第二接收器的示波器,并且其中,所述嵌入式VNA电路包括所述第一耦合装置和所述第二耦合装置、所述RF源、以及用于耦合来自所述RF源的所述入射RF信号的第三耦合装置并且不包括所述第一接收器和所述第二接收器。
6.权利要求1的测试仪器,其中直通连接在所述测试端口与另一个测试仪器的另一个测试端口之间,所述另一个测试仪器包括另一个嵌入式VNA电路和另一个RF源,
其中,所述RF源在所述另一个测试仪器中的所述另一个RF源关闭时提供所述入射RF信号,并且所述另一个嵌入式VNA电路测量由所述RF源经由所述直通提供的所述RF信号的相位,
其中,所述另一个RF源在所述RF源关闭时提供另一个入射RF信号,并且其它嵌入式VNA电路测量由所述另一个RF源经由所述直通提供的所述另一个入射RF信号的相位,并且
其中,对所测量的相位进行比较,并且对所述RF源和所述另一个RF源中的一个进行相位调整,使得所测量的相位匹配。
7.权利要求1的测试仪器,其进一步包括:
输入测试端口,所述输入测试端口连接至所述DUT的输出端口;以及
第一转换开关,所述第一转换开关具有:第一位置,用于将所述第二接收器连接至所述第二耦合装置以在所述校准阶段期间通过所述第二耦合装置接收所反射的RF信号;以及第二位置,用于将所述第二接收器连接至所述输入测试端口以在所述测试阶段期间响应于激励信号而接收由所述DUT输出的响应信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于是德科技股份有限公司,未经是德科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910926839.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体制造装置用部件
- 下一篇:高压电缆半导电缓冲带pH值的测量方法