[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910927114.3 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN112310063A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 颜尤龙;博恩·卡尔·艾皮特;凯·史提芬·艾斯格 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置封装,其包括:

衬底,其包括电路层,所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,其中所述衬底限定穿过所述衬底的至少一个空腔及从所述第二表面凹入并部分暴露所述电路层的至少一个凹部;

堆叠结构,其包括:

第一半导体裸片,其安置于所述第一表面上且电性连接于所述电路层上;

至少一个第二半导体裸片,其堆叠于所述第一半导体裸片上且电性连接到所述第一半导体裸片,其中所述第二半导体裸片至少部分插入所述空腔中;以及

包封层,其安置于所述空腔中且至少包封所述第二半导体裸片,其中所述包封层进一步包括突出所述空腔并部分覆盖所述衬底的所述第二表面的突出部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述凹部包含靠近所述空腔的第一侧向边缘,且所述包封层的突出部分的第一边缘基本上与所述凹部的所述第一侧向边缘对准。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述凹部进一步包含远离所述空腔的第二侧向边缘,且所述突出部分进一步安置于所述凹部的所述第二侧向边缘与所述衬底的周缘之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其中所述包封层的突出部分的第二边缘基本上与所述凹部的所述第二侧向边缘对准。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述包封层的所述突出部分包含非平面表面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括多个互连结构,其安置于所述衬底与所述第一半导体裸片之间,并将第一半导体裸片电性连接到所述电路层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装,其中所述第一半导体裸片的主动表面面向所述第二半导体裸片的主动表面,且所述半导体装置封装进一步包括多个导电结构,所述多个导电结构安置于所述第二半导体裸片的所述主动表面与所述第一半导体裸片的所述主动表面之间并将所述第二半导体裸片电性连接到所述第一半导体裸片。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其中所述导电结构的熔点高于所述互连结构的熔点。

9.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其进一步包括底填充料层,所述底填充料层安置于所述第二半导体裸片的所述主动表面与所述第一半导体裸片的所述主动表面之间且包围所述导电结构。

10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一半导体裸片的主动表面面向所述第二半导体裸片的被动表面,且所述半导体装置封装进一步包括将所述第二半导体裸片电性连接到所述第一半导体裸片的多个接合线。

11.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述至少一个第二半导体裸片包括在所述第一半导体裸片上并列安置的多个第二半导体裸片。

12.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述至少一个第二半导体裸片包括堆叠在彼此上的多个第二半导体裸片。

13.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述电路层包括接合垫,所述合垫穿过所述凹部部分地从所述第二表面暴露,且所述接合垫在竖直突出方向上与所述包封层的所述突出部分部分地重叠。

14.一种半导体装置封装,其包括:

衬底,其包括电路层,所述衬底包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,其中所述衬底限定穿过所述衬底的至少一个空腔;

堆叠结构,其包括:

第一半导体裸片,其安置于所述第一表面上且电性连接于所述电路层上;

至少一个第二半导体裸片,堆叠于所述第一半导体裸片上且电性连接到所述第一半导体裸片,其中所述第二半导体裸片至少部分地插入所述空腔中;以及

包封层,安置在所述空腔中且至少完全地包封所述第二半导体裸片。

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