[发明专利]用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法

权利要求书

1.一种用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置，其包括：

支架，其在半导体晶片清洗装置中分别设置于多工位加工腔室内侧壁上端部，设置有第一结合孔和第二结合孔；

第一固定部件，其插入至形成于所述支架的第一结合孔，对电缆进行固定，电缆用于传输温度传感器和控制器之间的数据；

第二固定部件，其插入至形成于所述支架的第二结合孔，对温度传感器进行固定；

位置调整部件，其设置于所述第二固定部件下面，对温度传感器进行固定支撑；

温度传感器，其固定结合于所述位置调整部件端部，设置有通过无线方式对温度进行感知的摄像机，和控制器传输数据；

夹具，其上部设置有用于对所述温度传感器的感知位置进行调整的位置调整盘，下部和用于操作位置调整盘的控制用基板一体结合，插入至所述多工位加工腔室的台板，用于对温度传感器的感知位置进行调整；

控制器，其设置有晶片表面监控系统，晶片表面监控系统将所述温度传感器拍摄的表面温度分为多个频道并通过显示器显示至图形用户界面；

角度刻度，其在所述位置调整盘边缘位置显示360度；

坐标刻度，其从所述位置调整盘中心点向上下左右间隔一定距离地显示；

发热体，其安装于所述控制用基板，发出一定温度，贯通设置于第一贯通孔，所述第一贯通孔从所述位置调整盘中心点向左右间隔一定距离地形成；

朝向所述温度传感器的晶片的温度测量位置由所述位置调整盘中设置的规定的角度刻度和坐标刻度来决定，从而固定所述温度传感器的温度测量位置。

2.根据权利要求1所述的用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置，所述夹具还包括：

开关，其安装于所述控制用基板，开启或关闭发热体的操作，贯通设置于第二贯通孔，所述第二贯通孔分别间隔一定距离地形成于所述第一贯通孔一侧；

复位开关，其安装于所述控制用基板，使得设定初始化，贯通设置于第三贯通孔，所述第三贯通孔形成于所述位置调整盘边缘一侧。

3.根据权利要求1所述的用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置，所述位置调整部件进行铰链结合，从而能够从第二固定部件向上下及左右按一定角度调整位置，所述第二固定部件将温度传感器固定于支架。

4.一种用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整方法，其包括以下步骤：

(a)打开安装于温度传感器的激光束投射器；

(b)对位置调整部件进行调整，以便从所述激光束投射器投射的束点位于在夹具的位置调整盘表面显示的角度刻度中设定的角度刻度，并且，对位置调整部件进行调整，以便从所述激光束投射器投射的束点位于在夹具的位置调整盘表面显示的坐标刻度中设定的坐标刻度；朝向所述温度传感器的晶片的温度测量位置由所述位置调整盘中设置的规定的角度刻度和坐标刻度来决定，从而固定所述温度传感器的温度测量位置；

(c)为了操作相当于所述夹具的加热区的发热体，打开中心开关、右中开关及右侧开关，或者打开中心开关、左中开关及左侧开关；

(d)设置于控制器的应用程序形态的晶片表面监控系统将所述温度传感器的摄像机拍摄的夹具表面的温度分为一定个数的频道并通过显示器显示至图形用户界面；

(e)通过显示器确认显示至图形用户界面的夹具的加热区，对传感器值进行调整，以便相当于中心、右中、右侧的加热区温度测量为一定温度，或者，对传感器值进行调整，以便相当于中心、左中、左侧的加热区温度测量为一定温度。

5.根据权利要求4所述的用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整方法，

所述晶片表面监控系统调整为使得相当于中心、右中、左中、右侧、左侧的加热区的温度测量为25～120℃，容许范围为±1～0.25℃。