[发明专利]真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置

说明书

本发明公开了一种真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置，包括：冷却水槽，其内部平行间隔设有两个隔层，两个隔层密封卡设在冷却水槽的相对两侧壁之间，以将冷却水槽分隔为位于两侧的冷水腔和位于中间的冷却腔，冷水腔设有进水口和出水口，每个隔层包括依次贴附设置的钢板、保温板、耐高温板，其中，钢板与冷却腔接触，耐高温板与冷水腔接触；一对模具，一个模具贴附设置在一个隔层上方，每个模具均具有一个缺口，一对模具对合后的缺口形成一个漏液口。本发明通过一对模具使得浇铸口的毛刺等缺陷延伸到漏液口处，确保获得的靶材成品不会残留因浇铸口带来的缺陷，本发明让冷却过程达到一个平衡点，确保最终的用于磁控溅射的靶材的品质，无裂纹缩孔。

技术领域

本发明涉及磁控溅射技术领域，具体是一种真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置。

背景技术

晶界扩散技术是近年来发展起来的一种可以有效改善烧结钕铁硼磁体磁性能的技术手段，其是通过溅射将Dy或Tb等稀土金属或稀土合金沉积在钕铁硼磁体的表面，再进行高温扩散，使Dy或Tb择优分布到主相Nd₂Fe₁₄B晶粒的外延层，大幅度提升磁体矫顽力，同时，重稀土添加量显著降低，实现了节约资源和降低成本的双赢目标。

磁控溅射时采用稀土金属作为阴极板，钕铁硼磁体作为基材。磁控溅射的阴极板一般选用真空蒸馏的方式制备，工艺繁琐复杂，且经真空蒸馏后采用传统的冷却装置得到的阴极板表面有裂纹缩孔等缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。

本发明还有一个目的是提供一种真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置，本发明通过一对模具使得浇铸口的毛刺等缺陷延伸到漏液口处，确保获得的靶材成品不会残留因浇铸口带来的缺陷，设置钢板、保温板、耐高温板的复合层结构，冷却过程达到一个平衡点，确保最终的用于磁控溅射的靶材的品质，无裂纹缩孔。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置，包括：

冷却水槽，其内部平行间隔设有两个隔层，两个隔层密封卡设在所述冷却水槽的相对两侧壁之间，以将所述冷却水槽分隔为位于两侧的冷水腔和位于中间的冷却腔，所述冷水腔设有进水口和出水口，每个隔层包括依次贴附设置的钢板、保温板、耐高温板，其中，钢板与所述冷却腔接触，耐高温板与所述冷水腔接触；

一对模具，一个模具贴附设置在一个隔层上方，每个模具均具有一个缺口，一对模具对合后的缺口形成一个漏液口，所述漏液口位于所述冷却腔的上方。

优选的是，所述冷水腔和所述冷却腔均为长方体结构。

优选的是，所述模具为长方体结构，所述缺口设置在沿其长度方向的中部，所述漏液口为上大下小的结构。

优选的是，还包括：暂存装置，其位于一对模具上方，所述暂存装置内部中空，其顶部设有进液口、底部设有正对所述漏液口的出液口。

优选的是，所述保温板由莫奈石制成，所述耐高温板为钼板。

优选的是，所述冷水腔内设有隔流板，所述隔流板平行于所述隔层设置，所述隔流板背离所述隔层的表面间隔设有平行的两个分隔片，两个分隔片均倾斜设置，每个分隔片的一端均延伸至所述冷水腔的顶部、另一端均延伸至所述冷水腔的侧面并靠近其底部，两个分隔片将所述冷水腔分隔为相互独立的上腔室、中腔室、下腔室，所述隔流板的顶部开设水孔，所述水孔上设有与之连通的喷管，所述喷管位于所述隔流板背离所述隔层的表面上且处于所述中腔室内，所述喷管的管径小于所述水孔的孔径，所述隔流板上设有一组搅拌扇，一组搅拌扇位于所述中腔室内并沿两个分隔片的倾斜方向呈线性列，每个搅拌扇均包括贯穿所述隔流板的转轴和设置在转轴上的两对扇叶，两对扇叶均匀的分布在所述隔流板的两侧，每个扇叶均为弧度相同的弧形叶片，位于所述隔流板朝向所述隔层的表面上的扇叶的弧长是位于所述隔流板背离所述隔层的表面上是扇叶的弧长的一半；