[发明专利]芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法及装置

说明书

一种芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法及装置，所述方法对所述存储芯片进行电性验证，获得异常沟道存储单元对应的失效行地址和失效列地址后，找到所述失效行地址对应的异常字线，对所述异常字线进行位置标记；将所述异常字线与异常字线两侧相邻的若干字线电连接一起，形成字线连接区域；将所述存储芯片置于电镜中进行扫描，通过图像明暗对比度的不同，识别出字线连接区域；在电镜中沿着所述对比度不同的字线连接区域移动存储芯片，找到所述失效列地址对应的异常位线，对所述异常字线和所述异常位线交叉处对应的异常沟道存储单元进行物理位置标记。本发明方法提高了物理位置标记的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法及装置。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的3D NAND存储器。

现有的3D NAND存储器的制作过程包括：提供衬底，所述衬底上形成有隔离层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构，在堆叠结构中形成暴露出衬底表面的沟道通孔；在沟道通孔中形成存储结构；形成存储结构后，刻蚀所述堆叠结构，在堆叠结构中形成栅极隔槽；去除所述牺牲层，在去除牺牲层的位置形成控制栅；在所述栅极隔槽中填充导电材料，形成阵列共源极；在堆叠结构上形成与若干控制栅连接的若干字线；形成与若干存储结构连接的若干位线。

在3D NAND存储器制作过程中，需要进行各种性能参数的测试，如果某一性能参数存在失效，就需要进行不良分析，3D NAND存储器不良分析时离不开数地址，3D NAND存储器中某一存储单元失效时一般会有对应的失效行地址和失效列地址，在进行不良分析时，需要根据失效行地址和失效列地址找到失效的存储单元的物理位置，然后进行切片处理。

但是现有方法找到的失效的存储单元的物理位置的精度有限，容易造成不良分析失败。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在怎样提高找到的失效的存储单元的物理位置的精度。

为此，本发明提供了芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法，包括：

提供存储芯片，所述存储芯片包括多层层叠的控制栅、贯穿所述控制栅的若干沟道孔存储结构、与相应层的控制栅连接的若干字线以及与相应的沟道孔存储结构连接的若干位线；

对所述存储芯片进行电性验证，获得异常沟道存储单元对应的失效行地址和失效列地址；

找到所述失效行地址对应的异常字线，对所述异常字线进行位置标记；

将所述异常字线与异常字线两侧相邻的若干字线电连接一起，形成字线连接区域；

将所述存储芯片置于电镜中进行扫描，通过图像明暗对比度的不同，识别出字线连接区域；

在电镜中沿着所述对比度不同的字线连接区域移动存储芯片，找到所述失效列地址对应的异常位线，对所述异常字线和所述异常位线交叉处对应的异常沟道存储单元进行物理位置标记。

可选的，所述若干字线包括边缘区域，所述边缘区域一侧具有若干第一版图特征图形，根据第一版图特征图形，找到所述失效行地址对应的异常字线。

可选的，将异常字线两侧与异常字线相邻的若干字线与异常字线电连接一起，形成字线连接区域的过程包括：去除边缘区域中部分所述异常字线以及所述异常字线两侧与异常字线相邻的部分若干字线，形成凹槽；在凹槽中填充金属，形成金属层，所述金属层将所述异常字线与异常字线两侧相邻的若干字线电连接一起，形成字线连接区域。