[发明专利]有机发光二极管显示器

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一电极；

像素限定层，至少部分地暴露所述第一电极；

有机发光层，在所述第一电极上；

薄膜封装层，在所述有机发光层上；以及

遮光构件，在所述薄膜封装层上，所述遮光构件与所述像素限定层重叠，

其中：

所述有机发光层包括与所述像素限定层不重叠的主区域以及与所述像素限定层重叠的子区域，并且

所述主区域包括与所述遮光构件不重叠的开口部分以及在所述开口部分周围并与所述遮光构件重叠的阴影部分。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中：

所述像素限定层和所述遮光构件相互重叠，使得所述像素限定层的截面中心与所述遮光构件的截面中心重叠，并且

所述像素限定层的宽度小于所述遮光构件的宽度。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素限定层的所述宽度是3μm至5μm。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述阴影部分的宽度是6.5μm至7.5μm。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光层包括发红光的第一有机发光层、发绿光的第二有机发光层以及发蓝光的第三有机发光层。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述子区域中，所述第一有机发光层至所述第三有机发光层中的任一个有机发光层在所述像素限定层的一侧表面和上表面上，且所述第一有机发光层至所述第三有机发光层中与所述任一个有机发光层重叠的有机发光层在所述像素限定层的另一侧表面和所述上表面上。

7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述子区域中，所述第一有机发光层至所述第三有机发光层中的任一个有机发光层在所述像素限定层的两个侧表面和上表面上，且所述第一有机发光层至所述第三有机发光层中与所述任一个有机发光层重叠的有机发光层在所述像素限定层的两个侧表面和所述上表面上。

8.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一有机发光层至所述第三有机发光层在所述子区域中相互重叠。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述阴影部分和所述子区域随着时间流逝改变为非发光区域。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述遮光构件的宽度相对于所述薄膜封装层的厚度成比例地增大。

11.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一电极；

像素限定层，至少部分地暴露所述第一电极；

有机发光层，在所述第一电极上；

薄膜封装层，在所述有机发光层上；以及

遮光构件，在所述薄膜封装层上且与所述像素限定层重叠，

其中：

所述有机发光层包括与所述像素限定层不重叠的主区域以及与所述像素限定层重叠的子区域，所述主区域包括与所述遮光构件不重叠的开口部分以及与所述遮光构件重叠并布置在所述开口部分周围的阴影部分，其中所述开口部分是强发光区域，且所述阴影部分和所述子区域中的每一个是具有比所述强发光区域低的发射强度的弱发光区域。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述阴影部分的所述发射强度大于所述子区域的所述发射强度。

13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述阴影部分和所述子区域中的每一个的所述发射强度随着与所述开口部分的距离增大而减小。