[发明专利]功率型半导体器件封装结构的制备工艺

权利要求书

1.一种功率型半导体器件封装结构的制备工艺，包括如下步骤：

提供至少一个双面覆导电层的绝缘板和至少一个柔性导电层；

使绝缘板的一面与芯片组件的第一端子连接且使半导体器件的C电极与第一端子连接；

使绝缘板的另一面通过第一导电凸起与柔性导电层连接且使半导体器件的E电极与芯片组件的第二端子连接，并使柔性导电层与E电极连接。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，绝缘板的一面与芯片组件的第一端子连接为压接、焊接、烧结、键合、铆接、螺丝连接、粘结中的任一种；

绝缘板的另一面与第一导电凸起之间的连接为压接、焊接、烧结、键合、铆接、螺丝连接、粘结中的任一种；

所述第一导电凸起与柔性导电层之间的连接压接、焊接、烧结、键合、铆接、螺丝连接、粘结中的任一种。

3.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于，半导体器件的C电极与第一端子之间的连接为压接、焊接、烧结、键合、铆接、螺丝连接、粘结中的任一种；

所述半导体器件的E电极与芯片组件的第二端子之间的连接为压接、焊接、烧结、键合、铆接、螺丝连接、粘结中的任一种；

柔性导电层与E电极之间的连接为压接、焊接、烧结、键合、铆接、螺丝连接、粘结中的任一种。

4.根据权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于，所述使绝缘板的一面与芯片组件的第一端子连接且使半导体器件的C电极与第一端子连接，包括，

提供具有相对设置的第一开口端和第二开口端的绝缘体，C电极封盖所述第一开口端，沿所述第一开口端和第二开口端的方向上，在所述绝缘体内部依次装配双面覆导电层的绝缘板、芯片组件、柔性导电层，并在安装芯片组件的过程中，通过G电极引线将芯片组件的第三端子与半导体器件的G电极键合连接。

5.根据权利要求4所述的制备工艺，其特征在于，在安装柔性导电层之后，在绝缘体内部灌注绝缘材料，并抽真空，形成绝缘层。

6.根据权利要求5所述的制备工艺，其特征在于，在柔性导电层上安装驱动电极，并通过G极外连线连接G电极和驱动电极。

7.根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于，用E电极封盖第二开口端，并通过E电极上的灌注孔，向绝缘体内部灌注导热材料，在其内形成导热层。

8.根据权利要求4中所述的制备工艺，其特征在于，在所述绝缘体内部依次装配双面覆导电层的绝缘板、芯片组件，包括，

将双面覆导电层的绝缘板、C垫片、芯片和E垫片依次放入焊接工装对应的孔位中，并且各部件间刷涂焊料，进行烧结。